1999 Fiscal Year Annual Research Report

特殊界面を有する半導体のフォトルミネッセンスに対する共鳴サブミリ波変調効果

Research Project

Project/Area Number	10640305
Research Institution	Osaka University
Principal Investigator	大山忠司大阪大学, 大学院・理学研究科, 教授 (40029715)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	小堀裕己大阪大学, 大学院・理学研究科, 助手 (90202069) 藤井研一大阪大学, 大学院・理学研究科, 助教授 (10189988)
Keywords	サイクロトロン共鳴 / フォトルミネッセンス / 光検知サイクロトロン共鳴 / 量子ドット / 共鳴光電磁効果 / 励起子 / 発光確率 / スピン・軌道相互作用
Research Abstract	平成10年度および11年度に亘って、マイクロ波および遠赤外レーザーを基本とする光探知サイクロトロン共鳴(ODCR)装置の組み上げと整備を行った。また、小型高感度分光器を採用したマルチ測光システムを完成させた。これらの装置を用いて行った研究成果の概要は以下の通りである。 (1)基板上に成長させた薄膜のInGaAsに関するODCR測定を行い、薄膜と基板の界面には薄膜内部とは異なる不純物の偏析や歪みに起因する特殊な電子状態が存在することが判明した。 (2)CaAs系の2次元電子系を基本とする量子ドットを作製し、それに関するODCR測定を行った。その結果、量子ドットの界面ポテンシャルが外部からの光励起によって影響を受け、内部に閉じ込められた電子状態が変調されることが判った。 (3)InSbとInGaAsにおける共鳴光電磁効果によって、基板上に成長した薄膜試料とバルク結晶では電子のサイクロトロン共鳴によって加熱された試料における熱流の方向に大きな違いがあることが判った。これは基板が大きな熱溜めの役割を果たしていることを実験的に明かにした。 (4)ZnSeに関するODCR測定から、電子、自由励起子および束縛励起子系間におけるエネルギー交換の機構が不純物や双晶界面の有無に大きく依存することを明らかにした。 (5)ZnSやCdSなどのII-VI族化合物半導体に添加されたMnの赤色発光の起源を明らかにし、その発光確率がMnを囲む周辺の原子スピン・軌道相互作用定数に強く依存することを解明した。

Research Products
(7 results)

All Other

All Publications (7 results)

[Publications] K.Fujii: "Potential Modulation of Semiconductor Dot Array System due to Photo excitation"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 542-545 (1999)
[Publications] K.Fujii: "Inhomogeneous Broadening of Zeeman Absorption Peak of Shallow Donor in Semi-Insulating GaAs"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 6405-6409 (1999)
[Publications] H.Nakata: "Infrared Absorption of Li Acceptors and Shallow Donors in ZnSe"Appl.Phys.Lett.. 74. 3480-3482. (1999)
[Publications] H.Nakata: "Optically Detected Far-Infrared Magneto-absorption on In GaAs"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 1868-1871 (1999)
[Publications] K.Fujii: "Investigation of the H band radiation in GaAs/AlGaAs heterostructures by photoluminescence and ODCR"Physica. B272. 454-457 (1999)
[Publications] H.Nakata: "Fano resonance of Lo-phonon-coupled excited states of Li acceptor in ZnSe and Luttinger parameters"Phys.Rev.. B60. 13269-13271 (1990)
[Publications] 大山忠司(分担執筆): "実験物理学講座 8巻"丸善株式会社. 253 (1999)

1999 Fiscal Year Annual Research Report

特殊界面を有する半導体のフォトルミネッセンスに対する共鳴サブミリ波変調効果

Principal Investigator

大山 忠司 大阪大学, 大学院・理学研究科, 教授 (40029715)

Research Products

[Publications] K.Fujii: "Potential Modulation of Semiconductor Dot Array System due to Photo excitation"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 542-545 (1999)

[Publications] K.Fujii: "Inhomogeneous Broadening of Zeeman Absorption Peak of Shallow Donor in Semi-Insulating GaAs"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 6405-6409 (1999)

[Publications] H.Nakata: "Infrared Absorption of Li Acceptors and Shallow Donors in ZnSe"Appl.Phys.Lett.. 74. 3480-3482. (1999)

[Publications] H.Nakata: "Optically Detected Far-Infrared Magneto-absorption on In GaAs"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 1868-1871 (1999)

[Publications] K.Fujii: "Investigation of the H band radiation in GaAs/AlGaAs heterostructures by photoluminescence and ODCR"Physica. B272. 454-457 (1999)

[Publications] H.Nakata: "Fano resonance of Lo-phonon-coupled excited states of Li acceptor in ZnSe and Luttinger parameters"Phys.Rev.. B60. 13269-13271 (1990)

[Publications] 大山忠司(分担執筆): "実験物理学講座 8巻"丸善株式会社. 253 (1999)

大山忠司大阪大学, 大学院・理学研究科, 教授 (40029715)