1999 Fiscal Year Annual Research Report
シンクロトロン放射光励起エピタキシーによるテルル化亜鉛への不純物ドーピング
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10650014
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| Research Institution | Saga University |
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Principal Investigator |
西尾 光弘 佐賀大学, 理工学部, 教授 (60109220)
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| Keywords | シンクロトロン放射光励起成長 / 室温エピタキシャル成長 / テルル化亜鉛 / フォトルミネッセンス特性 / 成長特性 |
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| Research Abstract |
これまで,化合物半導体(ZnTe)の室温エピタキシャル成長や室温原子層成長などをシンクロトロン放射光を用いて室温で実現できることを世界に先駆けて実証することにより、非加熱の結晶成長法としてシンクロトロン放射光励起成長は非常に有望な技術であることを示してきた。
そこで,本研究では,この研究を発展させるため,物性制御の可能性を検討することを主たる目的とした。具体的には、光源としては,分子科学研究所極端紫外光施設にあるシンクロトロン放射光(BL-8A白色光)を利用し、気相反応を抑えるため,原料ガス供給時の成長室圧力を10^<-5>Torr程度と低い値を採用し,シンクロトロン放射光の利用が有用であることを示すため,原料およびド-ピングガスの熱分解が困難な温度(室温〜100℃)の下で、VI/II比、基板温度などの基本パラメータに注目して系統的な研究を実施した。その結果、成長特性(各種成長条件に対する成長速度,RHEEDによる表面状態,結晶性の依存性)や結晶品質(主としてフォトルミネッセンス特性)に関してこれら基本パラメ-タの依存性を明かに出来た。
本研究により、ZnTe成長層には有機金属を使用しているにも拘らずカ-ボン等の取り込みは認めらないこと、結晶品質はキャリアガスの種類やVI/II比で大きくわかること等を明らかにし、室温で成長したZnTe膜に対してもディ-プレベルの発光を抑えることができること、窒素をキャリアガスに用いることにより、pタイプド-ピングの可能性があることなど工学的応用の観点からも興味深い成果が得られ、その成果を各種の学会誌に公表できた。
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[Publications] M.Nishio,Q.Guo,H.Ogawa: "Effect of dopant flow rate upon photoluminescence properties in aluminum-doped ZnTe layers grown by MOVPE"Thin Solid Films. 343-344. 512-515 (1999)
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[Publications] M.Nishio,Q.Guo,H.Ogawa: "Low temperature epitaxial growth of II-VI compound semiconductors using synchrotron radiation as a light source"Current Topicsin Crystal Growth Reseach. 5. 1-26 (1999)
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[Publications] M.Nishio,T.Enoki,Y.Mitsuishi,Q.Guo,H.Ogawa: "Homoepitaxial growth of ZnTe by synchrotron radiation using metalorganic sources"Thin Solid Films. 343-344. 504 (1999)
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[Publications] M.Nishio,Q.Guo,H.Ogawa: "Ohmic contucts to p-type ZnTe using electroless Pd"Thin Solid Films. 343-344. 508-511 (1999)
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[Publications] M.Nishio,T.Enoki,Q.Guo,H.Ogawa: "Growth Characteristics of Homoepitaxial ZnTe Films Deposited by Synchrotron Radiation Using Metalougunic Sources"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 568-571 (1999)
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[Publications] K.Hayashida,M.Nishio,H.Harada S.Furukawa,Q.Guo,H.Ogawa: "Effects of wave length upon photoluminescence properties of ZnTe 1 ayers grown by photo-assisted MOVPE"J.Crystal Growth. (2000)
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[Publications] M.Nishio,Q.Guo,H.Ogawa:
