1998 Fiscal Year Annual Research Report
新窒素ソースを用いる有機金属気相成長法での精密制御InGaN積層成長と反応機構の解明
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10650022
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| Research Institution | Kanazawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
石井 恂 金沢工業大学, 工学部, 教授 (30222946)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高田 新三 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70064467)
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| Keywords | 有機金属気相成長 / モノメチルヒドラジン / トリメチルガリウム / 四重極質量分析計 / X線回折 / トリメチルインジウム |
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| Research Abstract |
有機金属気相成長装置の成長室内で基板の温度を室温から800℃程度にかえて、ソースを供給し生成ガスを四重極質量分析計にサンプリングを行い質量スペクトルの測定を行った。その結果、モノメチルヒドラジンソースだけを供給したときに、モノメチルヒドラジンの熱分解によって、アセトニトリル、ジメチルアミン、モノメチルヒドラゾンが生成することが、初めて、観測された。トリメチルガリウムまたはトリエチルガリウム-モノメチルヒドラジンやトリメチルインジウム-モノメチルヒドラジンの混合ガスでも、これらの生成物が同様に観測された。すなわち、モノメチルヒドラジン単独のときと同様な生成物が観測されている。トリエチルガリウム-モノメチルヒドラジンの混合ガスのときには、それらの他にエチルシアンの生成が観測された。これらの生成物の生成温度や分解温度などを今後検討していく。
さらに、トリメチルガリウム-トリメチルインジウム-モノメチルヒドラジン系ソースを用いて、(001)GaAs基根上に温度を650から800℃にかえて、InGaNの成長を行った。成長層をX線回折法で調べた結果、ソースの供給量によって、InGaNの<002>方向の配向成長を示すピークと共に、単体Inを示すピークが観測された。成長温度700から770℃では、InGaNのみの成長が見られるソースの供給範囲が広く、モノメチルヒドラジン供給量に強く依存していることがわかった。今後、InGaNの組成制御について検討をしていく計画である。
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