1998 Fiscal Year Annual Research Report
発光デバイス用半導体の非発光再結合準位スペクトロスコピー
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10650035
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| Research Institution | Saitama University |
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Principal Investigator |
鎌田 憲彦 埼玉大学, 工学部, 助教授 (50211173)
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| Keywords | 非発光再結合準位 / 禁制帯内準位 / フォトルミネッセンス / 2波長励起フォトルミネッセンス / バンド間発光 / 内部量子効率 / 半導体発光デバイス / 非発光再結合パラメータ |
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| Research Abstract |
2年計画の初年度として、予定通り下記内容を実施した。
1. 2波長励起フォトルミネッセンス(PL)測定系の整備・予備測定:禁制帯内励起光用分光器、2波長励起用ファイバーヘッドを導入し、既測定のGaAs系量子井戸を用いて単一光子計数レベルの最適化等、測定系の調整を完了した。
2. GaAs/AIGaAs量子井戸の2波長励起PL測定
(1) 無ドープおよびSiドープGaAs/AlGaAs量子井戸の2波長励起PLおよびそのバンド間励起光、禁制帯内励起光エネルギー依存性から、各試料で検出された非発光再結合準位の空間分布、エネルギー分布を明らかにした。
(2) Si一様ドーブ試料で検出される井戸層内非発光再結合準位が、選択ドープ試料では見られないことを初めて実証した。
(3) 各試料内の非発光再結合準位のSRHパラメータをself-consistentに定め、定量測定が可能であることを明示した。
(4) これらに関し論文、国際ワークショップ発表を行った(発表論文の第一著者は申請者が指導する博士課程大学院生である)。
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[Publications] K.Hoshino,N.Kamata et.al.: "Distribution of Below-Gap States in Undoped GaAs/AlGaAs Quantum Wells Revealed by Two-wavelength Excited Photoluminescence" Journal of Luminescence. 79. 39-46 (1998)
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[Publications] K.Hoshino,N.Kamata et al.: "Below-Gap Spectroscopy of Undoped GaAs/AlGaAs Quantum Wells by Two-wavelength Excited Photoluminescence" Japanese Journal of Applied Physics. 37. 3210-3213 (1998)
