1999 Fiscal Year Annual Research Report
超高精度深さ方向分解能のAES法によるSi/Ge原子層超格子の構造評価
| Project/Area Number |
10650321
|
|---|
| Research Institution | Teikyo University of Science and Technology |
|---|
Principal Investigator |
内田 恭敬 帝京科学大学, 理工学部, 助教授 (80134823)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
菅原 聡 東京工業大学, 工学部, 助手 (40282842)
|
|---|
| Keywords | AES / 超格子 / XPS / CAICISS / ALE |
|---|
| Research Abstract |
昨年度の研究によりバッファ層として成長させているGe層の平坦性がSiを原子層成長させる上で極めて重要であることをが明らかとなり、Ge基板の成長条件を見直した。また、Si基板においても同様の見直しを行った。Geバッファ層では成長速度を0.5nm/min程度の極限まで低下させることおよび成長後の真空アニールを行うことで30nm成長させてもAFM測定によりRms=0.15nmの平坦性をえた。Siバッファ層ではSiH4を用いて成長温度525℃、30minの成長と700℃、10minの真空アニ一ルによりRms=0.1nmの平坦性が得られた。
Siを7原子層Geを3原子層30周期繰り返した超格子構造のAES測定から、Si層からGe層へ、逆にGe層からSi層への信号の変化が原子層レベルで急峻であることから確認された条件で、相互拡散や偏析がないことを再度XPSおよびCAIClSSにより評価した。試料は表面偏析が問題となるGe層上のSi層を1から4原子層まで、そして成長初期状態を確認するためのSi層上へGeを1原子層吸着させた試料をそれぞれ作製した。これら思慮の確認はXPS法により確かめた。その結果、前者ではCAICISSのTOFの差スペクトルからAELサイクルの増加によってGeとSiの差が増加しており最表面のSiが増加している事が確認できた。後者ではSi上へGeを吸着させる工程を繰り返してXPS測定で飽和吸着が確認される状態でTOFスペクトルでも同様の飽和特性が見られ、さらに飽和状態で入射角度依存性を調べたところGeの信号の角度依存瀬が見られずほぼ平坦であったことからGeが表面に平坦に成長していることが確認できAES測定の結果を裏付けるものが得られた。
|
Research Products
(2 results)
