1998 Fiscal Year Annual Research Report
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10650341
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| Research Institution | Kokushikan University |
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Principal Investigator |
竹歳 和久 国士舘大学, 工学部電気工学科・工学研究科, 教授 (80255637)
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| Keywords | CdTe,GaAs / EBIC動作 / 利得 / 過剰雑音 / 寿命特性 |
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| Research Abstract |
初年度は固体撮像素子を使わず既設の撮像管デマウンタブルで評価することを考えた。これまでの科研費の援助を得て製作した撮像・電子回折一体型蒸着装置があるのでこれを電子打込(EBIC)撮像可能な構造に改造した。ターゲットに近接して金蒸着膜の撮像パターンを設け紫外線照射して光電子像を発生させ電界加速してターゲットに射突させた。ターゲットはメッシュ等で保持したAl膜にCdTe,GaAsターゲット等を形成して評価撮像実験を行った。固体撮像素子AMIは蓄積電荷が正負両極性のターゲットの動作が可能であるので,正極性動作には通常の低速走査法を用い,負極性動作には高速走査方式を使った。測定は利得と増倍時の付加雑音を測定した。CdTe,GaAsターゲットの増倍利得はそれぞれ10KVで2500,3000倍の利得が得られた。
これは従来のa-Si_EBIC利得のほぼ1.6倍〜2倍である。過剰雑音は1.2でa-Siとほぼ同様であった。このほか,解像度,残像,寿命,ハイライト焼き付き等を測定した。また,当初予想したように寿命の劣化は全く見とめられない。他方、既開発のコンピュータシミュレーションプログラムを改良拡充した。ラザフォード散乱とべーテの損失能の公式を組合わせ増倍利得が正確に予測可能になった。これを基に付加雑音を計算した。a-Si同様、付加雑音の理論と実験の一致は極めて良かった。更に解析を上記実験と平行して進める。得られた知見は随時製作にフィードバックさせる。1)Development of a Novel Image Intensifier of an Amplified MOS Imager Overlaid with EB a-Si,IEEE,ED.,Vol.45,NO.4, April, 1998 2)Studies of Multiplication Process of a Novel Image Intensifier of an Amplified Metal-Oxide-Semiconductor Imager Overlaid with Electron-Bombarded Amorphous Silicon,IEEE,ED.,to be published 1999
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Research Products
(2 results)
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[Publications] K.Taketoshi: "Developmento of a Novel Image Intensifier of an Amplified MOS Imager Overland with EB a-Si" IEEE ED. 45,4. 778-784 (1998)
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[Publications] "Studies of Multiplication Process of a Novel Image Intensifier of an Amplified Metal-Oxide-Semiconductor Imager Overlaid with Elect-ron -Bombarded Amorphous Silicon" IEEE ED. accepted to be published. (1999)
