1999 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
10650341
|
|---|
| Research Institution | Kokushikan University |
|---|
Principal Investigator |
竹歳 和久 国士舘大学, 電気工学部, 教授 (80255637)
|
|---|
| Keywords | 撮像評価実験 / 増倍利得 / 過剰雑音 / 電子ミクロホトメトリ / 新構造 / 画像特性 / 寿命 / ランダムチェイン |
|---|
| Research Abstract |
1.撮像評価実験:非晶質薄膜材料は材料が結晶化しないように入射電子ビームエネルギーを制限しながら電子回折を行うのがよい。前年度に開発したCdTe,GaAS-EBIC現象を上記の微弱な電子回折ビームの検出に用いた。CdTe,GaAsターゲットを通常の蛍光スクリーン部に設置した。この後、低速電子型撮像用電子銃でターゲットを走査し信号を取り出した。電子回折の加速電圧は20kVなのでCdTe,GaAsターゲットの増倍利得はそれぞれ3000,4000倍であった。過剰雑音は1.15でほぼ無雑音増倍が達成できた。2.電子ミクロホトメトリ:さらに、デバイ環に沿って加算平均し空間周波数のFFTにより雑音軽減軽減処理をおこなうと入射電子線自身のショット雑音の軽減処理が効果的に達成できることを発見し学会報告した。3.膜形成時の新構造の発見:a-Se,a-Te膜蒸着時のその場観察を行い膜形成時にランダムチェインがまず形成発生し、その後よりエネルギの安定な連続ネットワークCRN構造に変わる現象を世界で初めて発見し報告した。4.画像特性:解像度,残像,ハイライト焼付等を測定した。解像度は1000TVL,残像は第3フィールドで0%,ハイライト焼付は無であった。また,当初予想したように寿命の劣化は全く見とめられない。5.シミュレーション:既開発のコンピュータシミュレーションプログラムを改良拡充した。ラザフォード散乱とベーテの損失能の公式を改良組合わせ増倍利得がより正確に予測可能になった。これを基に不可雑音を計算した。不可雑音の理論と実験の一致は極めて良かった。更に解析を上記実験と平行して進める。得られた知見は随時製作にフィードバックさせる。
|
Research Products
(2 results)
-
[Publications] k.Taketoshi F.Andoh,T.Kawamura,S.Araki:: "Development of a Novel Image Intensifier of an Amplified MOS Imager Overlaid with EB a-Si,"IEEE,ED.. Vol.45,NO.4,April. 778-784 (1998)
-
[Publications] K.Taketoshi,F.Andoh: "Studies of Multiplication Process of a Novel Image Intensifier of an Amplified Metal-Oxide-Semiconductor Imager Overlaid with Electron-Bombarded Amorphous Silicon,"IEEE,ED.. Vol.46,No.8,August. 1619-1622 (1999)
