1998 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
10650706
|
|---|
| Research Institution | Kumamoto University |
|---|
Principal Investigator |
渡邉 純二 熊本大学, 工学部, 教授 (40281076)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
峠 睦 熊本大学, 工学部, 助教授 (00107731)
稲村 豊四郎 名古屋工業大学, 教授 (60107539)
|
|---|
| Keywords | 半導体基板 / 超LSI / 研磨パッド / 有限要素法解析 / 平坦化研磨 / CMP / 研削 |
|---|
| Research Abstract |
本年度は、超LSI平坦化加工(CMP)技術の現状調査と予備検討を主眼に実施した。
課題調査(基礎実験含む)で判明した内容
1. 酸化膜平坦化技術では、STI(Shallow Trench Isolation)技術における平担化が課題となり、本テーマで設定した凸部加工の選択性向上技術が益々重要となって来る。
2. CMP技術の研究はCu等メタル配線の加工技術に移行しつつある。メタル配線の加工技術においても酸化膜の場合と同様に、埋め込みメタルのディッシングが課題であり、基本的には本テーマで開発する技術の応用が可能である。
3. 従来技術の中で改善による平坦化特性の向上を目的として、2層構成パッドによるCMP中のパッド変形についてシミュレーションを実施した。従来静的な変形については実行されているが、動的な変形については検討されていない。実際に動的な有限要素法の実行は困難のため、パッド表面に摩擦力を付加した相似的考え方を導入した。本計算結果では、摩擦力の付加はパッド変形に大きな影響は無いことが判った。この結果は精密工学会に発表した。
予備的な基礎実験の結果で判明した内容
1. 酸化膜の凸部表面のみをフレキシブルな砥石で走査して、軽い研削を行い、その後CMPを実行したところ凸部の加工の選択性は極めて高くなることが明らかとなった。研削部の微小な凹凸と加工歪が化学的に活性化されたためと思われる。本技術の応用は極めてユニークで効果が大と考えられる。
2. メタル膜の上の1μm以下の酸化膜は極めて破砕しやすく、特殊な表面基準の研削技術の開発が必要である。この結果は砥粒加工学会で発表した。
|
