1999 Fiscal Year Annual Research Report
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10650706
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| Research Institution | Kumamoto University |
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Principal Investigator |
渡邉 純二 熊本大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (40281076)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
峠 睦 熊本大学, 工学部, 助教授 (00107731)
稲村 豊四郎 名古屋工業大学, 教授 (60107539)
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| Keywords | 超LSI / 半導体基板 / 加工ひずみエネルギー / シート砥石 / CMP / 極表層研削 / 平坦化研磨 |
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| Research Abstract |
本年度は、新しい超LSI平坦化加工(CMP)技術の可能性検討と実験を実施した。
新しいCMP技術の可能性検討内容
1.酸化膜の凸部表面のみをフレキシブルな砥石で走査して、軽い研削を行い、その後CMPを実行したところ凸部の加工の選択性は極めて高くなることが明らかとなった。
2.従来の回転定盤付き研磨装置と精密小型グラインダーを組み立てて極表面の軽い研削実験専用機を構成した。ステージ移動は50mm前後であるが、これを自動化し、ストロークを拡大することによって大口径ウエハ加工に適用可能である。スピンドルヘッドは3軸移動、1軸回転可能ステージに取り付けられている。
3.極表層のみの研削技術は従来技術としては存在しない。本研究により、厚さ0.5mm以下のシート砥石とその下部にシリコンゴムを支持材とした特殊構成の砥石を発案して作成し、実現した。
4.3項で示した特殊砥石による表層研削では、加工ひずみのエネルギー蓄積領域は厚さ0.1μm以下であり、1μmに近い段差を効率的に低減するには効果が小さい。今後、さらに表面粗さを小さくしたままで、ひずみエネルギーを深く到達させる前処理技術が必要となる。
5.本年度の研究により、2mm前後の大きなパターンも平坦化が可能となった。
以上の結果は学会誌論文1件、および国際会議1件にまとめて報告した。
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[Publications] 渡邉 純二他: "平坦化研磨技術における基本加工特性と新しいパッド組織の提案"先端加工. 18巻1号. 187-193 (1999)
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[Publications] 渡邉 純二他: "Removal Rate Enhancing Effect of Pre-Thin-Surface Grinding on Chemical-Mechanical Planarization Polishing in VLSI Process"Proc.of the Third International Conference on Abrasive Technology. 13-19 (1999)
