1999 Fiscal Year Annual Research Report
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10740105
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
高橋 俊行 東北大学, 大学院・理学研究科, 助手 (50281960)
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| Keywords | ストレンジネス / Λハイパー核 / シリコン・ストップ・検出器 / 電磁相互作用 |
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| Research Abstract |
米国ジェファーソン研究所において(e,e K^+)反応によるΛハイパー核分光実験に用いる散乱電子位置検出器であるシリコンストリップ検出器(SSD)の性能および、放射線ダメージについて、東北大学原子核理学研究施設の電子ビームを使って測定した。ジェファーソン研究所での実験では、1ストリップあたり、毎秒10^5個の電子が通過し、実験終了までに20-30kGyの放射線を浴びると予想されている。このような高計数率下でも検出効率を落とすことなく動作した。また、放射線耐性については、電子ビームの直接照射を160kGyまで行い、照射量ごとの性能変化を調べた。その結果、リーク電流は、照射量とともに増大したが、目に見える性能の劣化は、観測されなかった。このテストにより、本実験での放射線による影響は問題ないことがわかった。
(e,e K^+)反応によるΛハイパー核分光実験のデータ収集は、2000年3月より始まり、この測定により、p-shell Λハイパー核の励起エネルギースペクトルが系統的に、エネルギー分散能600keVで測定され、特にこれまでの研究されてきた中間子ピームでは、生成されにくかったun-natural parity statesの観測から、ΛN有効相互作用のスピン依存項が明らかになることが期待される。
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