1998 Fiscal Year Annual Research Report
強誘電体薄膜の内部応力のその場測定装置の試作と疲労特性との相関評価
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10750019
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
綿森 道夫 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 (80222412)
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| Keywords | 強誘電体薄膜 / イオンビーム分析 / 内部応力その場測定 / 誘電率 |
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| Research Abstract |
これまでに共鳴散乱RBS法を用いて薄膜の酸素含有量を測定し、酸素欠損が透明伝導性薄膜(ITO)の電気伝導に及ぼす影響について調べ、明瞭な相関を報告してきた。今回、この共鳴散乱RBS法を強誘電体薄膜の酸素分析に適用し、酸素含有量が薄膜の電気的特性(含む疲労特性)に及ぼす影響に対する相関を調べることを目的とする。そのため、本年度は以下の研究計画を実施した。
(1) 現在有している反応性スパッタ装置に応力をその場測定できる装置を組み込む。その際、不足している部品を購入し、従来の直流スパッタ装置で利用していたユニットのうち、今回利用出来ないユニットを交換する。
(2) 電気的特性がある程度その場で測れるように、試料ステージを改良する。
(3) 実際に酸素含有量と電気的特性や応力との関係を調べ、予備データを蓄積する。
以上のような結果から、本年度の研究計画を完全に達成したと考える。
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