1998 Fiscal Year Annual Research Report
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10750479
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
西谷 滋人 京都大学, 工学研究科, 助手 (50192688)
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| Keywords | Metal Silicides / DV-Xa / molecular orbital / molecular dynamics / bond order / diffusion / interface |
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| Research Abstract |
本研究では金属ケイ素化物の電気・熱などの輸送特性を直接支配する電子構造と,組織形成挙動を支配する拡散機構や界面構造を精度の高い第一原理計算と分子動力学とを用いて原子レベルから理論的に解明することを目的としている.
初年度は比較的計算と実験が進んでいるNiSi_2やCoSi_2などのCaF_2型の構造を有する化合物をターゲットに静的なシミュレーションをおこない,結合特性についての知見を得た.具体的な研究項目は以下のとおりである.
(i)DV-Xα法を用いた電子構造の計算
完全結晶でのクラスター模型を用いて分子軌道計算をおこない電子構造を計算した.
得られた計算結果より金属ケイ素化物の結合では,今までの理論あるいは計算の解析では無視されてきた,ケイ素のs,p軌道と遷移金属のs,p軌道との結合が重要な意味を持つことが明らかとなった.
(ii)ボンドオーダーポテンシャルの作成
O.K.Andersenらによるカノニカルバンド理論にもとづいてTight bindingパラメータを取りだした.すでに得られている純元素のパラメータを基に化合物のパラメータを導き,化合物の電子構造と剪断定数などを再現したボンドオーダーポテンシャルを組み上げた.
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