無電解めっき法による超平滑・超薄膜設計のための微細構造の精密制御

1998 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 10750513
• Research Institution: Nagaoka University of Technology
• Principal Investigator: 松原 浩 長岡技術科学大学, 分析計測センター, 助教授 (00202325)
• Keywords: 無電解めっき / 触媒化プロセス / 初期折出過程 / 微細構造制御

Research Abstract

機能性薄膜の作製法として高いポテンシャルを持っている無電解めっき法について、めっき触媒核の密度と初期析出膜の粒子径等との関連に注目した検討を行いめっき膜の初期形成プロセスを調べ、これを類別化して無電解めっき法による高機能薄膜設計、特に超平滑膜、超薄膜作成のための設計指針を得る事を目的として以下の検討を行った。
1. 基板の前処理条件の検討
所望膜厚のNi系等の無電解めっき膜を、再現性良く作成する基板の前処理条件を調べた。
2. 初期析出膜、触媒核の顕微鏡観察
蒸着装置を購入し、カーボン蒸着膜を作成する条件を確立し、前項で作成された基本的な系の膜の初期析出形態を観察する条件設定を行った。
3. 初期析出過程のシミュレーションの準備
パーソナルコンピュータを購入し、前項の条件で観察される初期析出形態を再現するような膜成長のアルゴリズムを検討した。
4. 触媒化プロセスの検討
様々な密度の触媒核を基板上に付与するような触媒化プロセスとして上記めっき膜の析出速度を大きく変化させる条件を探索したところ、触媒化処理液のうち塩化すずと塩化パラジウム溶液の濃度を変化させることにより、めっき膜の初期析出速度が大きく変化することがわかった。