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1998 Fiscal Year Annual Research Report

半導体レーザーを用いた近接場変調分光法の開発

Research Project

Project/Area Number 10875014
Research InstitutionKyoto University

Principal Investigator

蓮尾 昌裕  京都大学, 工学研究科, 助教授 (40218433)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 藤本 孝  京都大学, 工学研究科, 教授 (90026203)
Keywords近接場 / 変調分光法 / 半導体レーザー / 飽和吸収 / ルビジウム原子 / エバネッセント波 / 表面
Research Abstract

固体表面近傍における原子、分子の挙動の観測は、固体と原子、分子の相互作用や自由空間とは異なる領域での原子、分子の運動を理解する上で重要である。そのためここでは、固体表面近傍での原子、分子の挙動を反映する光吸収プロファイルについて、その高感度な精密測定法の開発と応用を目的する。具体的には、誘電体、真空界面で光が全反射するときに真空中に光がしみ出す、いわゆるエバネッサント波の吸収スペクトルを、半導体レーザーを用いた周波数変調分光法により、高精度に測定する。
本年度の研究成果は、以下のとおりである。1 外部共振器により波長制御された半導体レーザーの共振器に、任意の振幅の周波数変調をかけ、ルビジウム原子蒸気を対象に、高感度のドップラープロファイルの測定(数10MHzの変調振幅)と高精度のラムディップの測定(1MHz以下の変調振幅)が可能な変調分光システムを試作した。
2 上記分光システムを用いて、ルビジウム原子蒸気、石英プリズム界面でのエバネッセント波の飽和吸収を高感度に測定した。
3 上記測定により、石英プリズム表面におけるルビジウム原子の速度分布を反映するドップラー幅の中にマックスウェル分布と異なる大きな構造や、通常とは異なる符号のラムディップの構造が確認された。
現在は、観測された現象についての考察と周波数変調分光システムの改良を行っているところである。
なお、これらの成果に関しては、平成10年3月に広島大学で開催される日本物理学会第54回年会において報告する予定である。

URL: 

Published: 1999-12-11   Modified: 2016-04-21  

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