1998 Fiscal Year Annual Research Report

新たに提唱したX線計測新原理の実証とそれに基づく新着想電子温度計測法の確立

Research Project

Project/Area Number	10878069
Research Institution	University of Tsukuba
Principal Investigator	長照二筑波大学, 物理学系, 教授 (80171958)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	前沢秀樹文部省高エネルギー加速器機構, 放射光源研究系, 教授 (40150015) 小波蔵純子筑波大学, 物理学系, 助手 (60302345) 近藤真史 (平田真史) 筑波大学, 物理学系, 講師 (70222247)
Keywords	半導体 / X線計測 / プラズマ電子温度 / 半導体X線検出器 / 半導体感度理論 / 新しい電子温度計測法 / プラズマ計測 / X線トモグラフィ
Research Abstract	本年度は、本方式の独創的な点である、この30年来用いられてきた、半導体空乏層内のX線生成電荷(量子温度T_e'密度n,有効電荷z_<eff>に複雑に依存)を用いる定説的手法/常套手段を覆し、空乏層を「X線吸収体」として用いる新着想(従来用いられた事の無い、無電場基板領域でのT_eのみに分布形状が依存するX線生成三次元拡散電荷を用いる)の有効性検証の準備及び基礎実験を行った。即ち、本新着想の実証のため、「多チャネル半導体検出器」を、我々の提唱した「半導体新感度理論」を用いて「X線新感度領域」(無電場基板領域)からの拡散電荷分布を用いるという、独自の手法により設計・検討し、本検出器の単色X線への基礎特性を明らかにした。以上の検討・研究により、殊に本計測法の特長としての、単一プラズマショットで、時々刻々低温から高温まで広範な電子温度の空間構造が分かる事、新現象や新物理解釈の新展開への貢献が期待できる事等を明らかにした。また、従来のX線計測では常套手段だった、「半導体のp-n接合部の空乏層からの信号を計測する、定説的手法」と全く異なり、むしろこの「空乏層を、外部制御可能な「X線吸収体層」として用いる」、独自のX線計測手法により本新手法が最適に且つ高効率に行えることを明らかにした。このようにして、本新手法と計測器の具体的に最適化された設置方法・使用方法を準備・確立した。以上のように、次年度への着実な準備を行った。

Research Products

(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] T.Cho et al.: "Characterization and Interpretation of the Quantum Efficiencies of Multilayer Semiconductor Detectors using a New Theory" Journal of Synchrotron Radiation. 5. 877-879 (1998)
[Publications] T.Cho et al.: "Effects of Neutrons on Semiconductor X-Ray Detectors Including n-Type Joint European Torus and p-Type GAMMA 10 Tomography Detectors" Review of Scientific Instruments. 70. 577-580 (1999)
[Publications] T.Cho et al.: "A New Principle in Plasma Electron-Temperature Diagnostics Using a Semiconductor X-ray Detector" Plasma Devices and Operation. in press. (1998)
[Publications] J.Kohagura et al.: "International Collaboration Researches on the Effects of a New Theory on the Plasma X-ray Diagnostics.Using Semiconductor X-ray Detectors" Plasma Physics Reports(Fizika Plazmy). 24. 218-221 (1998)
[Publications] J.Kohagura et al.: "New Methods for Semiconductor Charge-Diffusion-Length Measurements Using Synchrotron Radiation" Journal of Synchrotron Radiation. 5. 874-876 (1998)
[Publications] Y.Sakamoto et al.: "Characterization of a Semiconductor Detector and Its Application for Ion Diagnostics Using a Novel Ion Energy Spectrometer" Review of Scientific Instruments. 70. 857-860 (1999)

1998 Fiscal Year Annual Research Report

新たに提唱したX線計測新原理の実証とそれに基づく新着想電子温度計測法の確立

Principal Investigator

長 照二 筑波大学, 物理学系, 教授 (80171958)

Research Products

[Publications] T.Cho et al.: "Characterization and Interpretation of the Quantum Efficiencies of Multilayer Semiconductor Detectors using a New Theory" Journal of Synchrotron Radiation. 5. 877-879 (1998)

[Publications] T.Cho et al.: "Effects of Neutrons on Semiconductor X-Ray Detectors Including n-Type Joint European Torus and p-Type GAMMA 10 Tomography Detectors" Review of Scientific Instruments. 70. 577-580 (1999)

[Publications] T.Cho et al.: "A New Principle in Plasma Electron-Temperature Diagnostics Using a Semiconductor X-ray Detector" Plasma Devices and Operation. in press. (1998)

[Publications] J.Kohagura et al.: "International Collaboration Researches on the Effects of a New Theory on the Plasma X-ray Diagnostics.Using Semiconductor X-ray Detectors" Plasma Physics Reports(Fizika Plazmy). 24. 218-221 (1998)

[Publications] J.Kohagura et al.: "New Methods for Semiconductor Charge-Diffusion-Length Measurements Using Synchrotron Radiation" Journal of Synchrotron Radiation. 5. 874-876 (1998)

[Publications] Y.Sakamoto et al.: "Characterization of a Semiconductor Detector and Its Application for Ion Diagnostics Using a Novel Ion Energy Spectrometer" Review of Scientific Instruments. 70. 857-860 (1999)

長照二筑波大学, 物理学系, 教授 (80171958)