2001 Fiscal Year Annual Research Report
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11212202
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
冷水 佐壽 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (50201728)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
蒲生 健次 東京大学, 物性研究所, 教授 (70029445)
中島 尚男 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20198071)
濱口 智尋 高知工科大学, 工学部, 教授 (40029004)
家 泰弘 東京大学, 物性研究所, 教授 (30125984)
古屋 一仁 東京工業大学, 工学部, 教授 (40092572)
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| Keywords | 量子細線 / 磁気トンネル法 / 単電子トランジスタ / 量子ドット / ホットエレクトロン / GaAs / AlAs超格子 / ストライプ層 / 選択ドーピング |
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| Research Abstract |
これまでで最も均一なInGaAs自己形成型量子細線が(221)A基板に作製される。平均膜厚3nmの(221)A変調ドープInGaAs量子細線層において,横方向閉じ込めの励起準位をホトルミネッセンス励起スペクトルで自己形成型量子細線では初めて観測した。(冷水)
室温においても大きな振動を示すシリコン単一電子トランジスタを作製し,その電気伝導特性について評価を行った.低温においてドレイン電圧依存性に負性微分抵抗が表れることを示し,その起源はシリコン量子ドット中の量子準位であることを示した。(平本)
導電性カンチレバーを用いた原子間力顕微鏡により単一InAs量子細線の電流像を得た。また、CdSe量子ドットのフォトルミネスセンス励起スペクトルおよび時間分解フォトルミネセンスを測定し、量子ドット中の電子状態およびキャリア再結合過程を明らかにした。(中島)
ダブルバリア共鳴トンネルダイオードを用いて半導体中のホットエレクトロン波のコヒーレンス評価する方法を新たに提案した。位相相関を考慮した理論電流電圧特性で実験データをフィッティングしコヒーレンス長500nmと推定した。(古屋)
GaAs(19ML)/AlAs(7ML)超格子における光学フォノンモードを誘電性連続体モデルで記述し,縦磁気配置におけるミニバンド伝導をモンテカルロ・シミュレーションにより解析した.本モデルでは,フォノン循環条件において非常に大きなドリフト速度の増加が見られた.(濱口)
Eaves教授のグループが成功したInAs自己形成量子ドット中の電子の波動関数の測定では,磁気トンネル法において必要とされてきた条件が満されていないため,ゼロバイアス付近での波動関数測定に関する理論的検討を行い,これまでの理論の拡張を行った.(森)
短周期変調ポテンシャルが高次ランダウ準位の半占有状態におけるストライプ相(電荷密度波相)に与える影響を調べた。ν=5/2から25/2の広い範囲にわたってストライプ相の出現を示唆する磁気抵抗ピークを観測した.(家)
集束イオンビーム(FIB)と分子線エピタキシー(MBE)を超高真空トンネルで結合したFIB-MBE真空一貫システムで数nmの分布幅を持つSiドープ層の形成を行なった。微小電極による局所電界を用いてカーボンナノチューブの位置を制御することに成功した。(若家)
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[Publications] N.Mori: "Main Monte Carlo simulation of miniband conduction in Landau-quantized superlattices"Physica B. 298. 329-332 (2001)
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[Publications] N.Mori: "Transport in quantum dot arrays"Physica E. (to be published). (2002)
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[Publications] N.Machida: "Coherent hot-electron emitter"Japanese Journal of Applied Physics. 44. 64 (2001)
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[Publications] M.Nagase: "Phase-braking effect appearing in the current -voltage characteristics of double-barrier resonant-tunneling diodes -Theoretical fitting over four orders of magnitude-"Japanese Journal of Applied Physics. 40. 3018 (2001)
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[Publications] M.Saitoh: "Large Electron Addition Energy above 250 meV in the Silicon Quantum Dot in a Single Electron Transistor"Japanese Journal of Applied Physics. 40・pt.13. 2010-2012 (2001)
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[Publications] M.Saitoh: "Transport spectroscopy of the ultrasmall silicon quantum dot in a single-electron transistor"Applied Physics Letters. 79. 2025-2027 (2001)
