1999 Fiscal Year Annual Research Report
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11222205
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| Research Institution | Toyota Technological Institute |
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Principal Investigator |
吉村 雅満 豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (40220743)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
金山 敏彦 産業技術融合領域研究所, アトムテクノロジー研究体, グループリーダー
牧村 哲也 筑波大学, 物質工学系, 講師 (80261783)
上田 一之 豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60029212)
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| Keywords | 電子線 / 原子操作 / 表面 / 電子励起脱離 / TOF-ESD / STM / 欠陥 / 半導体 |
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| Research Abstract |
本研究は電子線による原子操作を目的としており、2グループに分かれて研究を遂行した。第一のグループでは、電子励起脱離により固体表面の水素や酸素を高感度で検出できる走査型水素顕微鏡を開発してきたが、この装置は局所領域の励起過程を研究する上で重要な役割を果たす。今年度はさらなる高性能化を追求し1ミクロン以下の分解能を達成した。脱離種の運動エネルギー分布やしきい値エネルギーを調べて脱離メカニズムを知ると同時に脱離の角度分布や脱離種の表面の2次元分布を観察できる。次にシリコン表面での水素や酸素の脱離、吸着ガスを用いたシリコンのエッチング機構の原子レベルでの解明に先立ち、シリコン(110)表面の原子構造や金属吸着構造に関する研究を行い、走査型トンネル顕微鏡による高分解能観察によりそれぞれの原子構造モデルを提案した。また次年度以降レーザー班と協力して研究を進めていくため、本年度レーザー光学系の設計を行った。第二のグループでは、固体表面に堆積したSiおよびCのクラスターに電子線照射を行い、この際に生じるクラスターの構造変化を、クラスターの原子組成・サイズ・吸着状態および電子線エネルギーの関数として測定する研究を開始した。クラスターの構造変化を検出するために、クラスター堆積と電子線照射が可能な、高分解能電子線エネルギー損失スペクトル測定装置を整備した。これまでに、Si表面上に堆積したC60及びその化学誘導体への可視レーザ光や電子線の照射を行い、クラスター構造や励起の種類により異なる構造変化が生じることを見いだした。
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[Publications] K.Ueda: "Two-dimensional analysis of hydrogen on solid surfaces by electron stimulated desorption microscopy"Appl.Surf.Sci.. (in Press).
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[Publications] M.Yoshimura: "Observation of Si(110) surfaces by high-temperature scanning tunneling microscopy"Jpn.J.Appl.Phys.. (in Press).
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[Publications] K.Ueda: "Two-dimensional hydrogen analysis of hydrogen storage alloy surface by electron-stimulated desorptin microscopy"Jpn.J.Appl.Phys.. (in Press).
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[Publications] T.An: "Elemental structure in Si(110)"16x2" revealed by scanning tunneling microscopy"Phys.Rev.B. 61. 3006-3011 (2000)
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[Publications] K.Ueda: "New development of scanning type microscope for two-dimensional hydrogen distribution using electron-stimulated desorption method"Surf.Sci.. 433-435. 244-248 (1999)
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[Publications] K.Ueda: "Surfactant effect of atomic hydrogen on silicide-formation of nickel on Si(110)"Thin Solid Films. 343-344. 612-615 (1999)
