2000 Fiscal Year Annual Research Report

SiベースIV族半導体極微細構造エレクトロニクスの創生

Research Project

Project/Area Number	11232101
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	白木靖寛東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (00206286)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	坂本統徳電子技術総合研究所, 電子デバイス部, 部長(研究職) 室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144) 安田幸夫名古屋大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (60126951) 伊澤達夫 NTTエレクトロニクス(株), 社長(研究職) 荒井英輔名古屋工業大学, 工学部, 教授 (90283473)
Keywords	シリコン / 人工IV族半導体 / 集積回路 / 高性能トランジスタ / 原子精度要素プロセス / 超高速光・電子デバイス
Research Abstract	本特定領域研究は、シリコンをベースとする電子デバイスの発展に寄与することを目的に、新しい材料「人工IV族半導体」を開発し、従来型のデバイス性能を飛躍的に改善すると共に、新機能の実現、特に電子と光を融合させた新しい集積化回路デバイスの出現を目指して、材料・プロセス・デバイスに関する基礎研究を行い、「人工IV族半導体エレクトロニクス」を創生することを目指している。本年度、この研究を遂行するにあたって、昨年度と同様に、2回の総括班会議と1回のシンポジウムを開催し、これまでの研究成果についてディスカッションを行い、今後の研究目的・成果目標を明確にした。本研究では、単なる基礎研究に終始することなく、実用性の判断を明確にしつつ、学問的基礎を固めることを目指している。従って、可能な限り、数値目標を自らに課し、研究を強力に推進することとしている。この目標設定は研究の方向を明確にし、研究を加速するために行うものであり、研究状況の変化に対応して見直しと修正を行ってきた。本年度もシンポジウム等を通じたディスカッションを経て、この数値目標の見なおし・修正を行った。今後もこの方針で、数値目標を設定していく。各研究班の研究実施項目は以下のようになっており、それぞれの研究班がそのテーマに沿って研究を推し進めている。研究項目A.人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御(白木班)(1)基礎物性の解明(2)高性能トランジスタの開発(3)光デバイスの開発研究項目B.人工IV族半導体極微細構造デバイス作製のための原子精度要素プロセスの開発(安田班)(1)薄膜形成技術の開発(2)電極形成技術の開発研究項目C.人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発(安田班)(1)素子作製技術の開発(2)素子開発(3)素子設計評価技術の開発

Research Products
(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] I.Suzumura: "Nucleation and growth of Ge on Si (111) in solid phase epitaxy"Thin Solid Films. 369/1-2. 116-120 (2000)
[Publications] O.Nakatsuka: "Interfacial reactions of Ti/ and Zr/Si1-xGex/Si contacts with rapid thermal annealing"Thin Solid Films. 373/1-2. 73-78 (2000)
[Publications] K.Kawaguchi: "Fabrication of strain-balanced Si/Si1-xGex multiple quantum well on Si 1-yGey virtual substrates and their optical properties"Appl.Phys.Lett.. (発表予定).
[Publications] K.Kawaguchi: "Fabrication of strain-balanced Si0.73Ge0.27/Si distributed Bragg reflectors on Si substrates"Appl.Phys.Lett.. (発表予定).
[Publications] T.Noda et al: "Doping and Electrical Characteristics of in-situ Heavily B-Doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y Films Epitaxially Grown Using Ultraclean LPCVD"Thin Solid Films. Vol.380. 57-60 (2000)
[Publications] 室田淳一他: "CVD Si_<1-x>Ge_xエピタキシャル成長とドーピング制御"日本結晶成長学会誌. Vol.27,No.4. 171-178 (2000)

2000 Fiscal Year Annual Research Report

SiベースIV族半導体極微細構造エレクトロニクスの創生

Principal Investigator

白木 靖寛 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (00206286)

Research Products

[Publications] I.Suzumura: "Nucleation and growth of Ge on Si (111) in solid phase epitaxy"Thin Solid Films. 369/1-2. 116-120 (2000)

[Publications] O.Nakatsuka: "Interfacial reactions of Ti/ and Zr/Si1-xGex/Si contacts with rapid thermal annealing"Thin Solid Films. 373/1-2. 73-78 (2000)

[Publications] K.Kawaguchi: "Fabrication of strain-balanced Si/Si1-xGex multiple quantum well on Si 1-yGey virtual substrates and their optical properties"Appl.Phys.Lett.. (発表予定).

[Publications] K.Kawaguchi: "Fabrication of strain-balanced Si0.73Ge0.27/Si distributed Bragg reflectors on Si substrates"Appl.Phys.Lett.. (発表予定).

[Publications] T.Noda et al: "Doping and Electrical Characteristics of in-situ Heavily B-Doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y Films Epitaxially Grown Using Ultraclean LPCVD"Thin Solid Films. Vol.380. 57-60 (2000)

[Publications] 室田淳一 他: "CVD Si_<1-x>Ge_xエピタキシャル成長とドーピング制御"日本結晶成長学会誌. Vol.27,No.4. 171-178 (2000)

白木靖寛東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (00206286)

[Publications] 室田淳一他: "CVD Si_<1-x>Ge_xエピタキシャル成長とドーピング制御"日本結晶成長学会誌. Vol.27,No.4. 171-178 (2000)