2001 Fiscal Year Annual Research Report
人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用
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11232101
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
白木 靖寛 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00206286)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
坂本 統徳 産業技術総合研究所, 国際部門次長(研究職)
室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
安田 幸夫 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60126951)
伊澤 達夫 NTT, エレクトロニクス, 取締役社長(研究職)
荒井 英輔 名古屋工業大学, 工学部, 教授 (90283473)
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| Keywords | 人工IV族半導体 / 光エレクトロニクス / 電子物性 / 光物性 / 極微細構造 |
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| Research Abstract |
本研究は、以下の研究項目に対応して3つの研究計画班を構成するとともに、研究推進と研究の方向付けを行うため、総括班を設置し、全体の統括を行ってきた。
研究項目A班 人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御(代表者 白木(東大))
研究項目B班 人工IV族半導体極微細構造デバイス作製のための原子精度要素プロセスの開発(代表者 安田(名古屋大))
研究項目C班 人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発(代表者 室田(東北大))
本研究を遂行するにあたって、研究開始当初、平成11年度から平成13年度までの3年間の各研究班の成果目標を全員で議論検討し、具体的な成果を達成すべく、目標設定を行った。この目標については、研究の進展状況および外部状況の変化に対応して、毎年見直しを行い、研究方針の明確化・研究推進の加速に努めてきた。これまでに、3回の連絡会と3回の総括班会議を開き、平成13年度には、各研究項目についての成果目標の見直しと連携状況の確認を行った。これらの緊密な連携の結果、各研究項目について、多くの重要な成果を得ることができており、設定した成果目標の達成率も極めて高いものとなっている。また、得られた成果は、国際学会・学術雑誌等を通して発表されており、その件数は、国際学会で96件、欧文誌への投稿論文は61件にのぼった。以上のように、本特定領域研究の進展状況は極めて良好であり、総括班としての職務である、成果目標設定を通した研究の加速化および各研究班間の連携確保を推進することができたと考えている。
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[Publications] K.Kawaguchi, S.Koh, Y.Shiraki, J.Zhang: "Fabrication of strain-balanced Si0.73Ge0.27/Si distributed Bragg reflectors on Si substrates"Applied Physics Letters. 79. 476-478 (2001)
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[Publications] K.Kawaguchi, Y.Shiraki, N.Usami, J.Zhang, N.J.Woods, G.Breton, G.Parry: "Fabrication of strain-balanced Si/Si1-xGex multiple quantum wells on Si1-yGey virtual substrates and their optical properties"Applied Physics Letters. 79. 344-346 (2001)
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[Publications] T.Watanabe, M.Sakuraba, T.Matsuura, J.Murota: "Atomic-order thermal nitridation of Si (100) and subsequent growth of Si"Journal of Vacuum Science and Technology A. 19, PartII. 1907-1911 (2001)
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[Publications] H.Ikeda, A.Tobioka, Y.Tsuchiya, A.Sakai, Y.Yasuda, S.Zaima, J.Murora: "Study on solid-phase reaction in Ti/p+-Si1-x-yGexCy/Si contacts"Materials Science B. (発表予定).
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[Publications] T.Kanetsuna, T.Matsuura, J.Murota: "Surface adsorption and reaction of chlorine on impurity-doped Si using an electron-cyclotron-resonance plasma"Journal of Electrochemical Society. 148. G420-G423 (2001)
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[Publications] Usami N, Azuma Y, Ujihara T, Sazaki C, Miyashita S, Murakami Y, Nakajima K: "Growth of SixGe1-x (x=0.15) bulk crystal with uniform composition utilizing in situ monitoring of the crystal-solution interface"JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 40(6A). 4141-4144 (2001)
