2002 Fiscal Year Annual Research Report
人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用
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11232101
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
白木 靖寛 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00206286)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
坂本 統徳 産業技術総合研究所, 国際部門, 次長(研究職)
室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
安田 幸夫 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60126951)
伊澤 達夫 NTTエレクトロニクス, 取締役社長(研究職)
荒井 英輔 名古屋工業大学, 工学部, 教授 (90283473)
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| Keywords | 人工IV族半導体 / 光エレクトロニクス / 電子物性 / 光物性 / シリコンゲルマニウム / 極微細構造 |
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| Research Abstract |
本研究は、以下の研究項目に対応して3つの研究計画班を構成するとともに、研究推進と研究の方向付けを行うため、総括班を設置し、全体の統括を行ってきた。
研究項目A班人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御(代表者 白木(東大))
研究項目B班人工IV族半導体極微細構造デバイス作製のための原子精度要素プロセスの開発(代表者 安田(名古屋大))
研究項目C班人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発(代表者 室田(東北大))
本研究を遂行においては、各研究項目について設定した具体的な目標を達成するべく研究を進めているが、この目標については、研究の進展状況および外部状況の変化に対応して、毎年見直しを行い、研究方針の明確化・研究推進の加速に努めてきた。平成14年10月には、中間進捗状況検討会を開催し、各研究班における進捗状況を検討し、成果目標の見直しと連携状況の確認を行った。これらの緊密な連携の結果、各研究項目について、多くの重要な成果を得ることができており、設定した成果目標の達成率も極めて高いものとなっている。平成14年6月には、本総括班主催の国際ワークショップを開催し、本研究において得られた成果を広く発表・検討する機会も設けている。また、得られた成果は、国際学会・学術雑誌・新聞発表等を通して発表されており、その件数は、本年度だけでも、国際学会で40件、欧文誌への投稿論文は35件にのぼっている。以上のように、本特定領域研究の進展状況は極めて良好であり、総括班としての職務である、成果目標設定を通した研究の加速化および各研究班間の連携確保を推進することができたと考えている。
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[Publications] K.Kawaguchi: "Optical properties of strain-balanced SiGe planar microcavities With Ge dots on Si substrates"Applied Physics Letters. 81. 817 (2002)
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[Publications] T.Irisawa: "Ultrahigh room-temperature hole Hall and effective mobility in Si0.3Ge0.7/Ge/Si0.3Ge0.7 heterostructures"Applied Physics Letters. 81. 847 (2002)
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[Publications] K.Kawaguchi: "Optical properties of strain-balanced Si/sub 0.73/Ge/sub 0.27/planar microcavities on Si substrates"Japanese Journal of Appliea Physics, Part 1 (Regular Papers, Short Notes & Review Papers). 41. 2664 (2002)
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[Publications] A.Tobioka: "Study on solid-phase reactions in Ti/p+-Si1-x-yGexCy/Si(100) contacts"Materials Science and Engineering B. 89. 373 (2002)
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[Publications] J.Murota: "Atomically controlled processing for group IV semiconductors"Surf. Interface Analysis. 34. 423 (2002)
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[Publications] O.Jintsugawa: "Thermal nitridation of ultrathin SiO2 on Si by NH3"Surf. Interface Analysis. 34. 456 (2002)
