2002 Fiscal Year Annual Research Report
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11232202
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
白木 靖寛 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00206286)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
宇佐美 徳隆 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (20262107)
黄 晋二 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (50323663)
尾鍋 研太郎 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (50204227)
中川 清和 山梨大学, 工学部附属クリスタル科学研究センター, 教授 (40324181)
末光 眞希 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (00134057)
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| Keywords | 人工IV族半導体 / シリコンゲルマニウム / 光エレクトロニクス / 電子物性 / 光物性 / 電界効果型トランジスタ |
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| Research Abstract |
平成14年度の研究成果は、大きく分けて次の4つの項目に分けられる。(1)良質な緩和SiGe疑似基板作製に関する研究、(2)歪みGeチャネルトランジスタの試作と評価、(3)SiGe混晶における電気伝導物性値の確定、(4)GeSiC量子ドットの発光特性の評価、である。(1)においては、イオン打ちこみを行ったSi基板上のSiGe薄膜エピタキシャル成長について評価し、イオン打ち込みによって、薄くかつ緩和率の高いSiGe疑似基板を作製できることがわかった。この技術については、特許出願を行っている。また、薄いアモルファスGe層を成長したSOI基板をアニールすることによって、SiGe-on-Insulator基板を作製する技術についても検討を行った。これは、歪みエンジニアリングとSOI基板の両者の優れた特性を生かしたトランジスタ開発につながると考えている。(2)では、低温バッファ法を駆使し作製した変調ドープ歪みGeチャネル構造を用いてFETを作製し、実効移動度が2000cm^2/Vsという記録的なデータを達成し、そのデバイス動作特性を評価した。この結果については、全国紙での新聞発表も行われている。(3)では、緩和SiGe混晶のドリフト移動度を知る上で重要となる、ホール散乱因子の不純物濃度依存性データを確立した。(4)においては、炭素を導入したSiGeヘテロ構造について調べた。特に、炭素を導入したGeSi量子ドットの形成では、炭素の効果により、通常のGeドットを比較して、サイズが半分以下で、密度が3倍以上のドットを形成することに成功した。これらの成果は、SiGeヘテロ構造の利点を生かした電子デバイス、光デバイスの開発につながる結果である。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] K.Kawaguchi: "Optical properties of strain-balanced SiGe planar microcavities with Ge dots on Si substrates"Applied Physics Letters. 81. 817 (2002)
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[Publications] T.Irisawa: "Ultrahigh room-temperature hole Hall and effective mobility in Si0.3Ge0.7/Ge/Si0.3Ge0.7 heterostructures"Applied Physics Letters. 81. 847 (2002)
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[Publications] Myronov, M: "Extremely high room-temperature two-dimensional hole gas mobility in Ge/Si0.33Ge0.67/Si(001)p-type modulation-doped heterostructures"Applied Physics Letters. 80. 3117 (2002)
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[Publications] K.Kawaguchi: "Optical properties of strain-balanced Si0.73Ge0.27/ planar microcavities on Si substrates"Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers, Short Notes & Review Papers). 41. 2664 (2002)
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[Publications] S.Koh: "Hole transport properties of B-doped relaxed Si0.7Ge 0.3 epitaxial films grown by MBE"Journal of Crystal Growth. (掲載予定).
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[Publications] K.Sawano: "Relaxation enhancement of SiGe thin layers by ion implantation into Si substrates"Journal of Crystal Growth. (掲載予定).
