1999 Fiscal Year Annual Research Report
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11450004
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Tokyo University of Agriculture and Technology |
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Principal Investigator |
森下 義隆 東京農工大学, 工学部, 助教授 (00272633)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
石橋 隆幸 東京農工大学, 工学部, 助手 (20272635)
覧具 博義 東京農工大学, 工学部, 教授 (50302914)
佐藤 勝昭 東京農工大学, 工学部, 教授 (50170733)
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| Keywords | フォトニック結晶 / ナノスピニクス / 半導体量子ドット / 磁性体量子ドット / 陽極化成 / 輻射場 |
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| Research Abstract |
スピンを制御したフォトニック結晶(フォトスピニック結晶)の作製を目的として、(1)電子ビームリソグラフィーとドライエッチングによる半導体ピラー構造の作製、(2)陽極化成によるハニカム孔の作製、(3)分子線エピタキシー(MBE)法による半導体量子ドットの作製、(4)BE方による磁性体細線構造の作製と、(5)ブラズマCVD装置の試作・立ち上げを行った。
(1)に関しては、条件の最適化によって直径200nm、ピッチ500nm、アスペクト比5程度のGaAsのピラー構造の作製に成功した。
(2)に関しては、Wランプの照射下、アンモニア溶液中でGaAsを陽極化成すると、サイズ(約200nm)のそろったハニカム孔が形成されることが分かった。また、化成時に磁界を印加することでサイズのゆらぎがより一層改善されることが分かった。
(3)に関しては、サイズのそろったハニカム孔を有するGaAs基板を用いることで、InAs量子ドットのサイズのゆらぎを改善することに成功した。
(4)に関しては、V溝を有するGaAs基板の片側の斜面にのみMnAsをMBE成長し磁気特性を評価した結果、磁化容易軸が面内でc軸が基板表面にほぼ垂直であることが分かった。
これらの結果は、高品質なフォトスピニック結晶を作製する際の中心的な基盤技術となるものである。
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[Publications] 森下義隆: "Molecular-beam epitaxy of InAs on anodized GaAs substrates"J. Crystal Growth. 201/202. 638-642 (1999)
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[Publications] 森下義隆: "Self-organized formation of hexagonal hollow arrays in anodic GaAs"Jpn. J. Appl. Phys.. 38. L1156-L1158 (1999)
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[Publications] 森下義隆: "Crystal structures and magnetic properties of MnAs grown by MBE on the (III)A facets of V-grooved GaAs substrates"J. Crystal Growth. (印刷中).
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[Publications] 佐藤勝昭: "Observation of Recorded Marks of MO Disk by Scanning Near-Field Magneto-Opitical Microscope"J. Magn. Soc. Jpn.. 23. 201-204 (1999)
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[Publications] 覧具博義: "Collisional broadening and shift of spectral lines in quantum dot lasers"Appl. Phys. Letters. 74. 3081-3083 (1999)
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[Publications] 石橋隆幸: "Polarization Properties of Bent-type Optical Fiber Probe for Magneto-optical Imaging"J. Microscopy. 193. 374-377 (1999)
