2000 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
11450004
|
Research Institution | Tokyo University of Agriculture and Technology |
Principal Investigator |
森下 義隆 東京農工大学, 工学部, 助教授 (00272633)
|
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
石橋 隆幸 東京農工大学, 工学部, 助手 (20272635)
覧具 博義 東京農工大学, 工学部, 教授 (50302914)
佐藤 勝昭 東京農工大学, 工学部, 教授 (50170733)
|
Keywords | フォトニクス / 陽極酸化 / 幅射場 / 量子ドット / 半導体 / 磁性体積層構造 |
Research Abstract |
スピンを制御したフォトニック結晶(フォトスピニック結晶)の作製と評価を目的として、(1)電子ビームリソグラフィーとドライエッチングおよびプラズマCVD装置による半導体ピラー埋め込み構造の作製、(2)陽極化成によるハニカム孔の作製、(3)分子線エピタキシー(MBE)法による半導体量子ドットの作製、(4)MBE法による磁性体細線構造の作製と、(5)試料位置合わせ装置の試作・立ち上げを行った。 (1)に関しては、条件の最適化によって直径160nm、ピッチ420nm、アスペクト比5程度のGaAsのピラー構造の作製と、SiO_2による埋め込み構造の作製に成功した。 (2)に関しては、Wランプの照射下、アンモニア溶液中でGaAsを磁界を印加しながら陽極酸化すると、サイズ(約200nm)のそろったハニカム孔が形成されることが分かった。しかし、現状ではアスペクト比は1であった。 (3)に関しては、サイズのそろったハニカム孔を有するGaAs基板を用いることで、InAs量子ドットのサイズのゆらぎを改善することに成功した。また、FIBで加工した基板上には、穴を埋めるようにドットが形成されることが分かった。 (4)に関しては、V溝を有するGaAs基板の斜面上にMnAs/GaAs積層構造をMBE成長し磁気特性を評価した結果、ステップ状のヒステリシスループが得られることが分かった。 これらの結果は、高品質なフォトスピニック結晶を作製する際の中心的な基盤技術となるものである。
|
Research Products
(6 results)
-
[Publications] 森下義隆: "Crystal structures and magnetic properties of MnAs grown by molecular-beam epitaxy on the (111) A facets of V-grooved GaAs substratess"J.Crystal Growth. 209. 599-604 (2000)
-
[Publications] 森下義隆: "Magnetic-field assisted anodization of GaAs"Electrochemical & Solid-State Letters. 4. G4-G6 (2001)
-
[Publications] 森下義隆: "Effects of regularity of honeycomb hollows formed by the anodization of GaAs substrates on the molecular-beam epitaxial growth of InAs quantum dots"J.Crystal Growth. (印刷中).
-
[Publications] 佐藤勝昭: "Room temperature ferromagnetism in novel diluted magnetic semiconductor Cd_<1-x>Mn_xGeP_2"Jpn.J.Appl.Phys.. 39. L949-L951 (2000)
-
[Publications] 佐藤勝昭: "Nonlinear magneto-optical Effect in Fe/Au superlattices modulated by non-integrated atomic layers"J.Appl.Phys.. 87. 6785-6787 (2000)
-
[Publications] 石橋隆幸: "Monequilibrium microwave emission due to tunnel injection of quasiparticles into a high-Tc Bi_2SR_2CaCu_2O_y superconductor"Phys.Rev.. B61. 689-693 (2000)