1999 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
11450005
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
平山 博之 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (60271582)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高柳 邦夫 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (80016162)
大島 義文 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手 (80272699)
|
|---|
| Keywords | Misfit転位 / MBE / STM / Si / Ge |
|---|
| Research Abstract |
本研究課題に対する科学研究費補助金により、超高真空排気システム、超高真空ゲージシステム、超高真空直線導入機を購入し、小型MBE装置を構築した。この装置は超高真空直線導入機により、既存のSTM装置との間で、真空を破らず試料を搬送することができる。またMBE装置では、STM試料ホルダーにセットした試料上にそのままSi、Geの成長が行えるような工夫がなされている。本年度は、このMBE装置を作成し、実際にSTM装置との間を超高真空でドッキングさせた。MBE装置は単独で排気した場合には1×10-8Paの到達真空度が実現され、またSTM装置とのゲートバルブを開いて試料の搬送を行った場合にも、5×10-8Pa以下の真空度が保たれることを確認した。またMBEを度キングした後のSTM装置は、除振に工夫を凝らすことでSTM単独の場合と変わらない振動伝達関数をキープでき、原子分解能観察が十分可能であることを、Si(111)表面のSTM観察により確認した。
以上の準備を終え、STM装置にドッキングさせたMBE装置を用いてSi(001)基板表面上へのSi、Ge成長の実験を開始した。Si、GeはともにKセルから蒸発させる方式で成長させる。また同じにHBO2セルからBの供給も行った。現在までにビームフラックスモニターを用いて、各セルの温度とビーム強度の相対的な関係を測定し、またRHEED振動周期の観察から、ビーム強度の絶対値計測を行った。さらにこれらの結果を元に、SiGe混晶の成長および成長表面のSTM観察を開始している。
|
