金属/ワイドギャップ半導体界面の研究

1999 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 11450021
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Research Institution: Kochi University of Technology
• Principal Investigator: 成沢 忠 高知工科大学, 工学部, 教授 (30299383)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 八田 章光 高知工科大学, 工学部, 助教授 (50243184) ; 神戸 宏 高知工科大学, 工学部, 教授 (10299373)
• Keywords: ワイドギャップ半導体 / 金属-半導体界面 / GaN(チッ化ガリウム) / ダイヤモンド / 水素検出 / イオン散乱法

Research Abstract

本年度は2年間の研究期間の前半である。本格的な研究に進むための準備期間と位置付け、以下のような調査、装置導入/改造、基本性能の確認、サンプルの調達、などを行なった。
1 調査としては、文献調査はもとより、各種の学会/研究会に積極的に参加するとともにこの分野の専門家を訪問するなどして、情報収集に努めた。その結果、有用な情報が数多く得られたが特筆すべきは、ワイドギャップ半導体と金属とのコンタクトの問題では、不純物水素が特に重要な役割を果たしているらしいことが憶測されるに至ったことである。水素は通常の光電子分光法では検出されないが、我々の主要研究手段であるイオン散乱法によれば高感度で検出可能であるところから今後の研究に大きな指針となるものと考えられる。
2 装置導入/改造およびその基本性能の確認は予定通り完了した。イオン散乱法ではまだ金属/ワイドギャップ半導体の界面を観測する段階には至ってないが、MgOやSiGeCをサンプルとして有用なデータがすでに得られているし、GaNやダイヤモンドについてもドーパントの検出を試みつつある。また、不純物水素の検出については弾性反跳粒子検出法(ERDA)の基本性能を確認している。
3 サンプルの調達は完了している。ダイヤモンドサンプルについてはいくつかの種類の金属蒸着を完了し、これから構造、電気的特性の評価を行なおうとしている。GaNについては、特に重要なp型についてドーピング濃度を振ったサンプルを入手しており、これから各種金属の蒸着を行なおうとしているところである。

Research Products

• [Publications] M.Nagaki,T.Narusawa et al: "Prefered orientations and microstructure of MgO films……"Thin Solid Films. 352. 85-90 (1999)
• [Publications] M.Nagaki,T.Narusawa et al: "Characterization of SiGeC Thin Films by MeV……"Thin Solid Films,. (印刷中). (2000)