レーザプローブによる大容量パワーデバイスの超高速ターンオン制御

1999 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 11450108
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 安岡 康一 東京工業大学, 工学部, 助教授 (00272675)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 井深 真治 東京工業大学, 工学部, 助手 (70262277) ; 石井 彰三 東京工業大学, 工学部, 教授 (40016655)
• Keywords: パワーデバイス / レーザプローブ / 高速ターンオン / キャリア挙動 / デバイスシミュレータ

Research Abstract

平成11年度には、レーザプローブ法によるシリコン結晶内のフリーキャリア濃度を時間分解測定する技術の研究を進めた。
第一に,大容量パワーデバイスの高速ターンオンを念頭にしたkV級の高速パルス電圧印加を可能とするための低インダクタンス駆動回路を設計製作した。この際、高速パワーデバイスの動作にあわせた模擬素子の駆動を行い,同時にこれらを電気的に定量評価可能な測定評価回路システムの構築を進めた。
第二に,レーザプローブによるキャリア挙動測定システムを構築するため,波長0.8,1.3,1.5ミクロンの赤外発光レーザダイオード装置を準備し,光学系の設計のもとに信号受信の基本構成を整えた。また,プローブレーザ光とシリコンデバイスからの発光とを区分して計測するために分光器による測定系の設置を完了した。
第三に,現有のデバイスシミュレータによる解析技術を基本に,本研究の動作条件,すなわち模擬素子の内部動作とリンクしたシミュレーション解析を進めた。とくに,デバイスシミュレータを光励起効果を取り入れて解析できるように技術開発を進め次年度に向けた技術課題を明らかにした。