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1999 Fiscal Year Annual Research Report

高移動度ポリシラン半導体薄膜の物性

Research Project

Project/Area Number 11450128
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Research InstitutionOsaka Prefecture University

Principal Investigator

中山 喜萬  大阪府立大学, 工学部, 教授 (20128771)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 張 梅  大阪府立大学, 工学部, 助手 (30275276)
秋田 成司  大阪府立大学, 工学部, 助手 (60202529)
Keywordsポリシラン / 配向 / 光学吸収スペクトル / 状態密度 / 光開裂
Research Abstract

一定風量下ディッピング法による配向膜作製において,従来利用していた容器内のポリシラン溶液から一定風量下で基板を引き上げる方式に加え,基板を囲むようにポリシラン溶液溜を設けこれらを相対的に一定風量下で動かす方式を検討した.新方式は,ポリシラン溶液の粘度(濃度)に制約を受け実験条件は限られるが,原料を有効に利用した大面積塗布に適する方法であることが明らかになった.
poly(cyclohexylmethylsilane)について一定風量下ディッピング法による配向膜とキャスト法で製作したランダム配向膜について,σ-σ*遷移による光学吸収スペクトルを,3.2eV程度の低吸収領域(〜10cm^<-1>)まで計測した.光熱偏向分光分析法の採用により測定が可能になり,バンド裾の状態密度分布形状は同じであるが,配向により低エネルギー側に0.04eVシフトすることを見いだした.配向によって相対的にα共役長が長くなっていることが確認できた.また,σ縮合の光開裂活性化エネルギーの分布幅が小さくなることを見いだした.
面延伸法による配向模作製装置を製作した.装置は真空排気部,加熱部及び加圧機構を備えている.基板上に塗布したポリシラン膜をスペーサーを介してもう一枚の基板で挟み脱気し,ガラス転移温度以上に保ち,一旦基板中央部に圧力を加え,その後基板の撓みが戻る力を利用しポリシランを面延伸する.Poly(methyphenyl silane)について実験を行い,200〜250%の延伸率を得,σ-σ*遷移による吸収係数がランダム配向膜の1/4と小さい,高品質配向膜が得られることが明らかになった.現在,各種ポリシランの面延伸配向実験を行い,その制御性を調べている.

URL: 

Published: 2001-10-23   Modified: 2016-04-21  

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