2000 Fiscal Year Annual Research Report
高温金属表面におけるシランの分解反応素過程に関する研究
| Project/Area Number |
11450297
|
|---|
| Research Institution | The University of Tokyo |
|---|
Principal Investigator |
越 光男 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (20133085)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
戸野倉 賢一 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (00260034)
三好 明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 (60229903)
|
|---|
| Keywords | シラン / ホットフィラメント / 反応素過程 / CVD / 表面反応 / アモルファス / 多結晶シリコン / ドップラー分光 |
|---|
| Research Abstract |
昨年度製作した光イオン化質量分析計を用いて、金属表面におけるシランの分解過程を、気相での化学反応が無視できる条件下で直接的に観測した。特に今年度はタングステン表面で生成するラジカル種の検出を試みた。昨年度までの結果で、フィラメント温度が1800K以上では主としてシリコン原子が生成することがわかっているが、シランの分解においては残りの水素がH2として脱離するのか、H原子として脱離するのかが不明である。H2が生成する場合とH原子が生成する場合では膜質に決定的な違いが現れるのでこれを明らかにすることは重要である。
昨年度製作した4重極質量分析計ではその性能の制約から水素原子は測定できない。そこで、水素原子の測定を目的として装置の改造を行なった。即ち、レーザ多光子イオン化法(レーザMPI)と飛行時間型質量分析計(TOF)を装置に組み込んだ。これを用いて水素原子を検出した。また水素原子のMPIスペクトル線幅から脱離する水素原子の並進温度を決定した。水素原子の並進温度はフィラメント温度より1000K程度低いことが明らかとなった。
|
-
[Publications] K.Inoue,K.Tonokura et al.: "Catalytic Decompositior of S : Hy on a Hot filament"Thin Solid Films. (in press). (2001)
-
[Publications] Y.Nakajima et al.: "Kinetics of Si_2H_2 Produced by 193nm Photolysis"Int.J.Chem.Kinct.. 33. 136-141 (2001)
-
[Publications] K.Tonokura: "Diagnostics of The GasPhase Pecoras : Tion of Si_2H_6"J.Phys.Chem.. A104. 8456-8461 (2000)
