2000 Fiscal Year Annual Research Report
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11555035
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
宮崎 則幸 九州大学, 大学院・工学研究院, 教授 (10166150)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
渡辺 隆之 (株)CRC総合研究所, 構造技術部, 部長
池田 徹 九州大学, 大学院・工学研究院, 助教授 (40243894)
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| Keywords | 機能性単結晶 / 割れ / 転位 / 有限要素法 / 伝熱解析 / 熱応力解析 / 転位密度評価 / 可視化 |
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| Research Abstract |
機能性単結晶育成過程の仮想実験室システムは(a)伝熱解析、(b)熱応力解析、(c)マクロな割れ解析、(d)転位密度評価解析、および(e)可視化の5つのサブシステムから構成される。初年度は(a)、(b)と(c)の一部の開発を行った。そこで第2年度の本年度は(d)転位密度評価解析サブシステムに関する研究を行った。主な研究成果は下記の通りである。
(1)単結晶を等方性と仮定して軸対称有限要素モデルを用いた単結晶育成過程の転位密度評価解析コードを開発整備した。
(2)この解析コードを用いてSi、GaAs、InPといった半導体単結晶について試計算を行い妥当な結果が得られることを確認した。
(3)単結晶体の特定のすべり方向の存在、弾性係数といった結晶異方性を近似的に考慮する軸対称有限要素モデルを用いた単結晶育成過程の転位密度評価解析コードを開発整備した。
(4)この解析コードを用いてGaAsとInPについて試計算を行い、結晶育成方向の違いが転位密度に及ぼす影響について明らかにした。
(5)単結晶インゴットのアニール過程の転位密度評価解析できる解析コードを開発した。なお、この解析コードは単結晶を等方性と仮定して軸対称有限要素モデルを用いている。
(6)この解析コードを用いてGaAsインゴットのアニール過程の転位密度評価解析を行い妥当な結果が得られることを確認した。
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[Publications] 宮崎則幸 他: "単結晶インゴットアニール過程の転位密度解析コードの開発"日本機械学会論文集(A編). 66・643. 442-447 (2000)
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[Publications] N.MIYAZAKI, et al.: "Development of Dislocation Density Analysis Code for Annealing Process of Single-Crystal Ingot"Journal of Crystal Growth. 216. 6-14 (2000)
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[Publications] N.MIYAZAKI, et al.: "Dislocation Density Analysis of GaAs Single Crystal during CZ Growth Process"Advances in Computational Engineering & Sciences. 1. 296-301 (2000)
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[Publications] N.MIYAZAKI, et al.: "Dislocation Density Analyses of GaAs Bulk Single Crystal during Growth Process (Effects of Crystal Anisotropy)"Journal of Crystal Growth. 218. 221-231 (2000)
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[Publications] N.MIYAZAKI,: "Dislocation Density Simulations for Bulk Single Crystal Growth Process Using Dislocation Kinetics Model"IUTAM Symposium on Creep in Structures. 115-124 (2001)
