2001 Fiscal Year Annual Research Report
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11555035
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
宮崎 則幸 九州大学, 工学研究院, 教授 (10166150)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
渡辺 隆之 (株)CRCソリューションズ, 技術担当部長(研究職)
池田 徹 九州大学, 大学院・工学研究院, 助教授 (40243894)
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| Keywords | 単結晶育成 / 半導体 / 酸化物 / 熱応力 / 転位密度 / 割れ / 結晶異方性 / 有限要素法 |
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| Research Abstract |
本年度の研究成果は下記の通りである。
(1)弾性係数、特定のすべり方向といった単結晶の結晶異方性を考慮した単結晶育成過程の三次元転位密度評価解析コードのプロトタイプを作成した。これによって単結晶育成方向と転位密度の関係を明らかにできる可能性が開けた。
(2)弾性係数、特定のすべり方向といった単結晶の結晶異方惟を考慮した単結晶インゴットアニール過程の三次元転位密度評価解析コードのプロトタイプを作成した。これによって、インゴット育成時の育成方向とアニール時の転位密度の関係が明らかにできる可能性が開けた。
(3)上記(1)(2)の解析は多大な計算時間が必要となることから、今後は並列処理解析プログラムの開発が必要となるとの見通しを得た。
(4)これまで開発してきた各種単結晶育成過程の熱応力評価解析コードを統合してプリ、ポストプロセッサーを整備して単結晶育成過程の熱応力解析システムを完成した。
(5)本年度が研究の最終年度に当たるので、研究成果をとりまとめて、報告書を作成した。
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[Publications] N.MIYAZAKI: "Development of Thermal Stress Analysis System for Single Crystal Growth Process"Advances in Computational Engineering & Sciences. 205 (2001)
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[Publications] 宮崎則幸: "単結晶インゴットアニール過程の三次元転位密度評価解析コードの開発"日本機械学会論文集(A編). 67巻662号. 1603-1608 (2001)
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[Publications] 宮崎則幸: "斜方晶系単結晶の熱応力解析"シミュレーシヨン. 20巻4号. 274-278 (2001)
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[Publications] 宮崎則幸: "半導体バルク単結晶CZ育成過程における転位密度の三次元解析"日本機械学会論文集(A編). 68巻665号. 21-25 (2002)
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[Publications] N.MIYAZAKI: "Development of a Thermal Stress Analysis System for Anisotropic Single Crystal Growth"Journal of Crystal Growthに印刷中. (未定). (2002)
