2000 Fiscal Year Annual Research Report

スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究

Research Project

Project/Area Number	11555086
Research Institution	Kanazawa University
Principal Investigator	畑朋延金沢大学, 工学部, 教授 (50019767)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	岡田修アネルバ(株), 開発研究所, 所長代理佐々木公洋金沢大学, 自然科学研究科, 助教授 (40162359)
Keywords	スパッタリング / 人工超格子 / ヘテロエピタキシャル / フラッシュ蒸着 / SiGe / イオンプレーラィレグ
Research Abstract	昨年度、スパッタ法と電子ビーム蒸着法を組み合わせた新しい複合薄膜作製装置の基礎特性に関する検討を行ったが、両製膜法の動作ガス圧の調整が極めて微妙であり、両立させて安定して動作させることは得策でないと判断した。そこで、本年度はガス圧に関係なく電子ビーム蒸着法と同様に真空蒸着が行える、フラッシュ蒸着法を検討した。まず、粉末状原料を滑らかにかつ一定常速度で供給するために、回転式ミキサー構造の原料供給装置を考案した。次に熱膨張による変形や歪みに耐え、熱集中度のよいW製局所加熱源を試作し、1800℃程度で定常運転できるフラッシュ蒸着装置を完成させ基礎実験を開始した。Si基板上にSi膜を成長させたところ、原料粉末Siの表面酸化によりエピタキシャル成長が阻害されることもなく、基板温度500℃でエピタキシャル成長することが確認できた。次年度は、より高品質の結晶成長を実現するために水素等を導入し還元雰囲気中でのフラッシュ蒸着を検討していく。また、スパッタ法との併用による薄膜成長技術の開発を行う。

Research Products

(7 results)

All Other

All Publications (7 results)

[Publications] K.Sasaki et al.: "Reactive Growth of YSZ (ZrO_2 : Y_2O_3) Thin Films with Unploisoned Sputtering Target"Abs.of Workshop of 29th IUVSAT. 59-62 (2000)
[Publications] K.Sasaki et al.: "Hetevoepitaxial growth of SiGe films and heavy βdoping by Ion-beam sputtering"Thin Solid Films. 369. 171-174 (2000)
[Publications] T.Hata et al.: "Yttrla-Stabilized Zirconia (YSZ) beteroepitaxially grown on Si substrates by reactive Sputtering"Vacuum. 59. 381-389 (2000)
[Publications] K.Sasaki et al.: "Epitaxial Growth properties of Si and SiGe Films Prepared by Ion Beam Sputtering Process"Vacuum. 59. 397-402 (2000)
[Publications] J.D.Kim et al.: "Preparation and Properties of Pb (Zr,Ti) O_3 Thin Films Deposited on Ir Electrodes Using a Sputtering Apparatus"Vacuum. 59. 559-566 (2000)
[Publications] 金済徳他: "Pb(ZrTi)O_3薬膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討"電子情報通信学会和文論文誌. J83-C. 1036-1042 (2000)
[Publications] 真下,畑,小島他: "「図解」薄膜技術"培風館. 263 (1999)

2000 Fiscal Year Annual Research Report

スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究

Principal Investigator

畑 朋延 金沢大学, 工学部, 教授 (50019767)

Research Products

[Publications] K.Sasaki et al.: "Reactive Growth of YSZ (ZrO_2 : Y_2O_3) Thin Films with Unploisoned Sputtering Target"Abs.of Workshop of 29th IUVSAT. 59-62 (2000)

[Publications] K.Sasaki et al.: "Hetevoepitaxial growth of SiGe films and heavy βdoping by Ion-beam sputtering"Thin Solid Films. 369. 171-174 (2000)

[Publications] T.Hata et al.: "Yttrla-Stabilized Zirconia (YSZ) beteroepitaxially grown on Si substrates by reactive Sputtering"Vacuum. 59. 381-389 (2000)

[Publications] K.Sasaki et al.: "Epitaxial Growth properties of Si and SiGe Films Prepared by Ion Beam Sputtering Process"Vacuum. 59. 397-402 (2000)

[Publications] J.D.Kim et al.: "Preparation and Properties of Pb (Zr,Ti) O_3 Thin Films Deposited on Ir Electrodes Using a Sputtering Apparatus"Vacuum. 59. 559-566 (2000)

[Publications] 金済徳 他: "Pb(ZrTi)O_3薬膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討"電子情報通信学会和文論文誌. J83-C. 1036-1042 (2000)

[Publications] 真下,畑,小島 他: "「図解」薄膜技術"培風館. 263 (1999)

畑朋延金沢大学, 工学部, 教授 (50019767)

[Publications] 金済徳他: "Pb(ZrTi)O_3薬膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討"電子情報通信学会和文論文誌. J83-C. 1036-1042 (2000)

[Publications] 真下,畑,小島他: "「図解」薄膜技術"培風館. 263 (1999)