1999 Fiscal Year Annual Research Report
アークプラズマCVD法によるタンタル超微粉末の新製造プロセスの開発
| Project/Area Number |
11555190
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
| Research Institution | Muroran Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
嶋影 和宜 室蘭工業大学, 工学部, 教授 (70005346)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
上村 陽一郎 科学技術庁, 無機材研究所, 主任研究官
三浦 康孝 昭和キャボットスーパーメタル, 開発研究員
平井 伸治 室蘭工業大学, 工学部, 助教授 (10208796)
|
|---|
| Keywords | CVD法 / 五塩化タンタル / 水素還元 / タンタル粉末 / 高容量コンデンサー / プロセス / 開発 |
|---|
| Research Abstract |
タンタルの陽極酸化皮膜は極めて安定であり、また、その高い比誘電率等により電解コンデンサーの好適な特殊金属として使用されている。タンタル粉末を焼結したタンタル焼結コンデンサーの容量は陽極素子の表面積に比例するため、高容量のコンデンサーには比表面積の大きい粉末が必要である。タンタル粉末はNa還元法によって製造されているが、粉末は凝集しており、微粉末化されず、また高密度化しがたいと言われている。一方、CVD法によると(1)の反応によって高純度のTa微粉末を生成することは可能である。TaCl_5(g) + (5/2)H_2(g)=Ta(s)+5HCl(g) (1)
本研究では、アークプラズマとCVD法とを組み合わせ、(1)式の反応による直径1μm以下の粒径のタンタル粉末の製造を指向し、これを原料とする高容量コンデンサー素子の開発を目的とした。
本年度はCVD装置の試作、試作した装置の基礎実験およびタンタル粉末の合成実験を行った。その結果、原料である塩化タンタルの昇華には350〜400℃の温度を必要とし、還元剤であるH_2ガスは最低でも500ml/min以上必要であることが分かった。また、SiC、Si、Niの各基板を使用して(1)式によるCVD実験を行った結果、還元温度800℃の場合に少量のタンタル粉末の合成に成功した。今後は基板の種類を替え、タンタル微粉末の大量製造プロセスの開発を行う予定である。
|
Research Products
(2 results)
