新規高スピン多核金属錯体超分子の合成とその複合機能物性

1999 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 11640591
• Research Institution: Kinki University
• Principal Investigator: 黒田 孝義 近畿大学, 理工学部, 講師 (80257964)
• Keywords: 多核マンガン錯体 / 単一分子磁石 / 巨大スピン / 電荷移動錯体 / メスバウアー / TTF誘導体

Research Abstract

1)Mn12核錯体の化学修飾
単一分子磁石として知られるMn12核錯体には架橋カルボン酸が16個あり、これらを置換することにより化学修飾が可能である。NMR測定からこれらの置換が軸位の8個のカルボン酸から起こることを明らかにした。現在、テレフタル酸等を用いて二量体の合成・単離を試みているところである。
2)Mn12核錯体と各種ドナーとの電荷移動錯体
これまでにデカメチルフェロセンとMn12核錯体との電荷移動錯体を形成し、その結晶構造を明らかにした。この化合物はMn12核錯体アニオンの近傍に磁性のデカメチルフェロセニウムカチオンが存在するが、その磁性はMn12核錯体アニオンの磁性に対して大きな影響を及ぼさないことがわかった。一方、鉄のメスバウアースペクトルの測定から、鉄核はMn12核錯体アニオンの磁性の影響を大きく受けていることがわかった。非磁性の対カチオンであるデカメチルコバルトセニウムを用いた場合についても結晶構造を明らかにした。これらの結果については現在、論文作成中である。次に、伝導性の電荷移動錯体を得る目的でいくつかのTTF系ドナーとの電荷移動錯体の形成を試みた。あるTTF誘導体をドナーとして用いた場合に単結晶が得られた。得られた電荷移動錯体には520nm付近に特徴的な吸収が現れており、これはこのTTF誘導体単独あるいはそのカチオンにおける吸収帯とは異なっていることから、電荷移動錯体形成による相互作用の結果であると考えられる。詳細については現在解析中である。