マルチフェーズエピタキシ技術の構築によるワイドギャップ半導体の新規物性探査

1999 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 11650005
• Research Institution: Chiba University
• Principal Investigator: 小林 正和 千葉大学, 工学部, 助教授 (10241936)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 買 岸偉 千葉大学, 工学部, 助手 (90280916) ; 松末 俊夫 千葉大学, 工学部, 講師 (20209547)
• Keywords: マルチフェーズ構造 / ZnCdS / 分子線エピタキシー / 六方晶 / 立方晶

Research Abstract

今年度はマルチフェ-ズ構造の作製のための初期段階として、一定の組成を持った半導体材料を、結晶の双安定性を利用して、異なった結晶構造の元作製することを試みた。今回は、通常立方晶と六方晶の両方を示すことが知られているZnSとCdSの混晶であるZnCdSを格子整合しているGaAs基抜上(111)面において分子線エピタキシーほうにより成長を試みた。
その結果、
・ZnCdSにおいて基板温度を制御することにより六方晶と立方晶の面構造を制御できることを明らかにした。
・また、不純物のドーピングによっても六方晶と立方晶の面構造を制御できることを明らかにした。
・さらには、基板表面の極性を変化させることによっても六方晶と立方晶の両構造を制御できることを明らかにした。
これらのことは、マルチフェーズ構造を作製する上で極めて基礎的で重要な知見であると考えられる。

Research Products

• [Publications] M. Kobayashi: "Luminescence properities of CdS quantum dots on ZnSe"J. Vac. Sci. Technol.. B17. 2005-2008 (1999)
• [Publications] M. Kobayashi: "Homoepitaxy of ZnSe on the citric acid etched (001) ZnSe Surface"J. Cryst. Growth. 201/202. 474-476 (1999)