1999 Fiscal Year Annual Research Report
サファイヤ基板上に形成した炭化珪素薄膜を用いた高温・大電力用FETの作製
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11650321
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| Research Institution | Shinshu University |
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Principal Investigator |
上村 喜一 信州大学, 教育システム研究開発センター, 教授 (40113005)
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| Keywords | 炭化珪素 / FET / サファイヤ基板 / 高温動作素子 |
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| Research Abstract |
サファイヤ基板上に炭化珪素薄膜を堆積させる場合、両者の格子定数差が良質な薄膜堆積の妨げとなる。一方、サファイヤ基板上に珪素薄膜を堆積させる技術はすでに一般的であり商品化されている。そこで、サファイヤ基板上への炭化珪素の堆積に先だって、珪素層を薄く堆積させ、それを炭化することにより炭化珪素とし、その上に必要な厚さの炭化珪素層を堆積させることを試みた。
今年度は、サファイヤ基板上に直接炭化珪素薄膜を堆積させた場合と、サファイヤ基板上に堆積させた珪素層を炭化させてその上に炭化珪素薄膜を堆積させた場合について比較した。サファイヤ上の珪素層としては市販のSOS(Silicon on Sapphire)基板を使用し、プロパンによる炭化とテトラメチルシランの熱分解による炭化珪素の堆積を行った。
作製した薄膜についてX線回折、電子線回折、XPS等による評価を行った結果、炭化層の挿入は薄膜の特性結晶性に著しい効果が有ることが示された。実用的な構造とするためには、界面層となる珪素膜全体を炭化することが可能な厚さに制御する必要がある。今後、FET材料としての電気的特性評価ならびにソース・ドレイン領域の形成について検討を進める。
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[Publications] K.Kamimura,S.Okada,H.Itoh,M.Nakao and Y.Onuma: "Characterization of Schottkey contact on P-type 6H-SiC"Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 1999. 372-372 (1999)
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[Publications] K.Kamimura,H.Itoh,S.Okada,M.Nakao and Y.Onuma: "Preparation of SiC films on Al203 substrate"Proceedings of the 3rd IEMT/IMC Symposium. 111-114 (1999)
