1999 Fiscal Year Annual Research Report
MOSトランジスタのソース・ドレイン近傍でのドーパント2次元拡がり測定の研究
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11650326
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
芝原 健太郎 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授 (50274139)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
横山 新 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (80144880)
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| Keywords | シリコン / ドーパント / 2次元分布 / SEM |
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| Research Abstract |
SEM(走査型二次電子顕微鏡)を用いて二次元広がりを観察することを試みている。分解能を向上させるため機械的に試料断面を斜めに削りだし表面を斜めに削りだし表面に現れる接合領域を引き延ばして観察することを試みた。研磨時の機械的ダメージあるいは研磨中に形成された傷の影響で不純物分布を反映した像観察は現在のところできていない。ダメージや傷は研磨粒子の選択(材質、粒径)で低減されることを見いだしているので引き続きこの手法を試みる予定である。
SCM(Scanning Capacitance Microscopy)による観察も試みている。この手法は試料中に拡がる空乏層の容量を検出するという原理から、空乏層幅以下の観察は困難と思われる。しかし、得られる情報のダイナミックレンジはSEM像による方法に比べ大きいと思われ、SEM像観察法で得られたデータの定量化用補助データとしての用途が考えられる。今後選択溶液エッチングとTEM観察を組み合わせた手法も試みる。
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