2000 Fiscal Year Annual Research Report
半導体電界放射陰極を用いた変調電子放射に関する基礎的研究
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11650338
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
嶋脇 秀隆 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (80241587)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐藤 信之 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (10178759)
横尾 邦義 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (60005428)
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| Keywords | 微小冷陰極 / 電界電子放射 / 真空マイクロエレクトロニクス / 半導体FEA / 電子光学 |
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| Research Abstract |
1.n型Si電界放射陰極にYAG2倍波(533nm,CW)レーザー光をチョッパーを用いて数十kHz〜数百kHzの間隔で断続的に照射し、光の照射に対する電子放射特性の変化を測定した。その結果、放射電流量はレーザー光のオン、オフに対してp型同様、速やかに応答して変化すること、レーザー光の強度にほぼ比例することから伝導帯のキャリア密度を制御することで放射電流の制御が可能であるとの知見を得た。現在、n型、p型Si電界放射陰極の放射電子のエネルギー分析を行っており、今後、光照射の有無におけるそれぞれの電子のエネルギー分布との比較検討を行う予定である。これにより、電界電子放射における光の寄与についての知見が得られるものと思われる。
2.製作したSi電界放射陰極からの放射電子を用いて、福岡工大の石塚はスミス・パーセル光の放射実験を行った。電子ビームエネルギー15〜60keVの境域で350〜750nmのスミスパーセル光を発生した。得られた光はスミスパーセル放射理論とよく一致している。
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[Publications] K.Yokoo: "Field Emission Studies for Microwave and Optical Wave Generation"Proc.of 8th Int.Conf.,on Terahertz Electronics. 17-20 (2000)
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[Publications] 三村秀典: "半導体エミッタからの電子放射特性"電子通信学会論文誌C. J83-C,8. 673-680 (2000)
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[Publications] H.Ishizuka: "Smith-Purcell radiation experiment using a field-emission arrays"Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. A445. 276-280 (2000)
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[Publications] H.Mimura: "GaAs Lateral Field Emitters for Generation of Modulation Beam Using Gunn Effect"Tech.Digest of 13th Int.Vac.Microelectronics Conf.. 234-235 (2000)
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[Publications] 三村秀典: "GaAs系電界放射陰極(II)"第61回応用物理学会学術講演会(秋季)講演予稿集. 2. 6p-ZB-13 (2000)
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[Publications] 石塚浩: "微小電子源を用いて発生したスミスパーセル光の自動走査計測"信学技報. ED2000-205. 13-20 (2000)
