2000 Fiscal Year Annual Research Report
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11650356
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| Research Institution | Kanagawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
宝川 幸司 神奈川工科大学, 工学部, 教授 (30257406)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
黄 啓新 神奈川工科大学, 工学部, 助教授 (30257414)
荒井 俊彦 神奈川工科大学, 工学部, 教授 (60130796)
宇野 武彦 神奈川工科大学, 工学部, 教授 (50257408)
野毛 悟 神奈川工科大学, 工学部, 助手 (10221483)
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| Keywords | 弾性表面波 / 半導体 / 機能集積素子 |
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| Research Abstract |
本年度は集積化プロセスの高度化とコンボルバを中心とする素子研究に重点を置いて研究を進め、以下の成果を得ることが出来た。
1)エピタキシャルリフトオフによる集積化技術の高度化のなかで、フィルムの結合状況をX線により詳細に観測する事に成功した。これにより、表面処理・レーザやマイクロ波加熱によるボンディング力強度化処理において最適条件を見出す事を可能とした。
2)ボンディング技術を量産技術とするための基礎検討として、ワックスによる処理の代わりにポリイミドによる処理の可能性を調べた。ストライプ構造の採用や熱処理条件の最適化により安定なフィルム剥離・フィルムの転送ボンディングが可能となることを実証できた。
3)半導体として新たにシリコンを取り上げ、薄膜フィルムの形成法・ボンディング技術を検討した。SOI基板の利用により、Si/LiNbO_3構造の素子実現が可能なことを実証した。また、試作素子で半導体と弾性波の結合特性を確認することができた。
4)素子技術として、ダイオードブリッジ形のコンボルバを考案し、実験的にその有効性を確認した。また、汎用回路シミュレレータを適用し、設計可能なことを確認すると共に、タッピング電極間隔やダイオード特性などのデバイスパラメタ依存性などを明らかした。
5)SAW半導体結合の素子としてプログラマブル素子を検討した。ブリッジ構造の素子により、圧電基板の温度係数などによる特性変動に強い素子が実現できることをシミュレーションおよび基礎実験により確認した。
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[Publications] C.Hong,K.Koh,C.Kaneshiro,Y.Aoki and K.Hohkawa: "Fabrication of Surface Acoustic Wave-Semiconductor Coupled Devices Using Epitaxial Lift-Off Technology"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.39. 3666-3671 (2000)
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[Publications] K.Koh,T.Suda,C.Kaneshiro,C.Hong,K.Hohkawa: "SAW-semiconductor Coupled Device with Stripe Shaped Semiconductor Films"IEEE Ultrasonics Symposium Proceedings. (to be piblished). (2001)
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[Publications] C.Kaneshiro,S.Noge,C.Hong,K.Koh,Y.Aoki and K.Hohkawa: "Fabrication of SAW Device Coupled woth Semiconductor"IEEE Ultrasonics Symposium Proceedings. (to be piblished). (2001)
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[Publications] 5.K.Hohkawa,K.Koh,T.Suda,C.Kaneshiro,C.Hong: "Design on semiconductor coupled SAW convolver"IEEE Application of Ferroelectrics Proceedings. (to be published). (2001)
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[Publications] 須田隆也,青木裕介,洪哲雲,兼城千波,黄啓新,宝川幸司: "弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討"信学技報. US2000-28. 27-32 (2000)
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[Publications] 洪哲雲,兼城千波,野毛悟,青木裕介,黄啓新,宇野武彦,宝川幸司: "異種材料貼り合わせのための基礎検討"信学技報. US2000-28. 21-26 (2000)
