1999 Fiscal Year Annual Research Report
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11694059
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
長谷川 修司 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教授 (00228446)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
長尾 忠昭 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助手 (40267456)
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| Keywords | 表面電子輸送 / 四端子プローブ / 表面電子バンド / 表面超構造 / シリコン / 走査電子顕微鏡 / 微細加工 / 表面原子ステップ |
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| Research Abstract |
デンマーク工科大学で製作したマイクロ4端子プローブ(プローブ間隔が8μm)を東京大学所有の超高真空走査電子顕微鏡・MBE装置内に装着し、測定する表面領域を観察しながらその場で電気伝導度測定を行なえるシステムを完成させた。この装置を使って様々な測定をし、次の結果が得られた。
(1)Si(111)-7X7清浄表面とSi(111)-√<3>X√<3-Ag>表面で電気伝導精度測定を行なったところ、後者は2桁も伝導度が高いことが分かった。これは、プローブ間隔が狭まったことによって、非常に表面敏感な伝導度測定となり、表面構造の違いが如実に現れたものと考えられる。
(2)マイクロ4端子プローブを微動させて、ステップが数十段密集したステップバンド領域を跨いで測定した場合跨がずにテラス上で測定した場合を比較して、伝導度が著しく異なることが分かった。これは、表面原子ステップによって表面キャリアが散乱されて伝導度を下げていることとを直接検出したことになる。
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[Publications] N.Sato,S.Takeda,T.Nagao S.Hasegawa: "Electron standing waves on the Si(111)-√<3>x√<3>-Ag surface"Physical Review B. 59. 2035-2039 (1999)
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[Publications] C.-S.Jiang,S.Hasegawa: "Photoconductivity of the Si(111)-7x7 and √<3>x√<3>-Ag sufaces"Surface Science. 427/428. 239-244 (1999)
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[Publications] S.Hasegawa,X.Tong,S.Takeda,N.Sato,T.Nagao: "Structures and eletronic transport on silicon surfaces"Progress in Surface Science. 60. 89-257 (1999)
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[Publications] X.Tong,K.Horihoshi,S.Hasegawa: "Structures and electrical conductance of Pb-covered Si(111) surfaces"Physical Review.B. 60. 5653-5658 (1999)
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[Publications] D.A.Tsukanov,S.V.Ryzhkov,S.Hasegawa,V.G.Lifshits: "Surface conductivity of submonolayer Au/Si system"Physics of Low-Dimensional Structures. 7/8. 149-154 (1999)
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[Publications] N.Sato,T.Nagao,S.Hasegawa: "Two-dimensional adatom gas phase on the si(111)-√<3>x√<3>-Ag surface directly observed by scanning tunneling microsoopy"Physical Review B. 60. 16083-16087 (1999)
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[Publications] 日本結晶学会偏 長谷川修司ほか分担執筆: "結晶解析ハンドブック"共立出版(株). 673 (1999)
