2000 Fiscal Year Annual Research Report
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11694059
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| Research Institution | UNIVERSITY OF TOKYO |
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Principal Investigator |
長谷川 修司 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教授 (00228446)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
白木 一郎 東京大学, 大学院・理学系研究科, 日本学術振興会特別研究員
長尾 忠昭 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助手 (40267456)
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| Keywords | 表面電子輸送 / 四端子プローブ / 表面電子バンド / 表面超構造 / シリコン / 走査電子顕微鏡 / 微細加工 / 表面原子ステップ |
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| Research Abstract |
昨年度製作・完成した「マイクロ4端子プローブ付き超高真空走査電子顕微鏡」を用い、さまざまな測定を行い、下記の成果を得た。
(1)シリコン単結晶表面上で、ステップをバンチングさせた表面と、レギュラーステップ表面で、表面電気伝導度を測定して比較し、表面原子ステップの影響を明らかにすることができた。
(2)測定された表面電気伝導度分布から真の表面電気伝導度分布を求めるため、2次元抵抗体ネットワークモデルを作ってコンピュータシュミレーションを行い、解析した。
(3)デンマーク工科大学で新しく開発・製作されたマイクロ4端子プローブ(プローブ間隔が0.5μm)を上記装置に装着し、表面電気伝導度の測定を試み、改良点などを検討した。
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[Publications] S.Hasegawa,N.Sato,I.Shiraki,C.L.Petersen,P.Boggild,F.Grey: "Surface-state bands on silicon -Si(111) √<3>×√<3> Ag surface superstructure-"Japanese Journal of Applied Physics. 39(No.6B). 3815-3822 (2000)
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[Publications] X.Tong,C.-S.Jiang,K.Horikoshi,S.Hasegawa: "Surface-state electrical conduction on the Si(111)-√<3>×√<3>-Ag surface with noble-metal adatoms"Surface. Science. 449. 125-134 (2000)
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[Publications] S.Hasegawa,K.Tsuchie,K.Toriyama,X.Tong,T.Nagao: "Surface electronic transport on silicon a donor-and acceptor-type adsorbates on Si(111)-√<3>×√<3>-Ag substrate"Applied Surface Science. 162-163. 42-47 (2000)
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[Publications] S.Hasegawa: "Surface-state bands on silicon as electron systems in reduced dimensions at atomic scales"Journal of Physics : Condensed Matter. 12. R463-R495 (2000)
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[Publications] C.L.Petersen,F.Grey,I.Shiraki,S.Hasegawa: "Microfour-point probe for studying electronic transport through surface states"Applied Physics Letters. 77,(No.23). 3782-3784 (2000)
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[Publications] I.Shiraki,T.Nagao,S.Hasegawa,C.L.Petersen,P.Boggild,F.Grey: "Micro-four-point probes in a UHV scanning electron microscope for in-situ surface conductivity measurements"Surface Review and Letters. Vol.7,No.5&6. 533-537 (2000)
