1999 Fiscal Year Annual Research Report
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11694158
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
中島 尚男 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20198071)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
前橋 兼三 大阪大学, 産業科学研究所, 助手 (40229323)
長谷川 繁彦 大阪大学, 産業科学研究所, 助手 (50189528)
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| Keywords | 量子細線 / GaAs / InAs / 変調ドープ / フォトルミネセンス / 電気抵抗 / 分子線成長 / 走査型トンネル顕微鏡 |
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| Research Abstract |
微傾斜GaAs(110)面上に分子線成長の際形成される巨大ステップとステップ端における膜厚変化を利用してGaAsおよびInAs量子細線を形成した。透過電子顕微鏡およびフォトルミネセンスにより量子細線が形成されていることを確認した。また分子線成長装置と結合した走査型トンネル顕微鏡により、ステップの形成とその上のInAsの挙動をその場観察することに成功した。さらに劈開面より、量子細線断面も走査型トンネル顕微鏡により観察した。不純物ドーピングの条件を確立して、GaAs量子細線へ変調ドープを試み、フォトルミネセンスにより調べた。その結果ドープ量によって発光ピーク位置がシフトし、また励起光強度によっても発光ピーク位置がシフトすることが測定され、変調ドープがされていることが分った。マイクロ・フォトルミネセンスによりさらに詳細に調べる予定である。また、微細加工技術を用いて電極をつけ、量子細線と平行および垂直な方向の電気抵抗を測定し、平行な方向の電気抵抗が非常に低いことから、変調ドープがされていることが明らかになった。今後、スプリット・ゲート電極をつけて測定する予定である。同じ微細加工技術を用いて走査型カソードルミネセンス装置を用いてドリフト移動度を測定する試料を作製し、オット・フォン・ゲリッケ大学にて測定を開始した。以上の結果をもとにさらに均一性の高い量子細線の形成と再現性のある変調ドープを行う予定である。
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[Publications] B.R.Shim: "Transmission electron microscopy and photoluminescence characterization of InGaAs strained quantum wires on GaAs vicinal(110) substrates"J.Korean Phys. Soc.. 35. S599-S603 (1999)
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[Publications] B.R.Shim: "Size and composition dependence of photoluminescence from InGaAs Quantum wires"Proc.11^<th> Int.Conf. on Inp and Related Materials. 495-498 (1999)
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[Publications] K.Bando: "Photoluminescence of InAs Quantum Wires on Vicinal GaAs(110) Substrates"Microelectronic Eng.. 47. 163-165 (1999)
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[Publications] T.Nishida: "Photoluminescence of modulation doped GaAs quantum wires on vicinal GaAs(110) substrates"Microelectronic Eng.. 47. 171-173 (1999)
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[Publications] S.Torii: "Transmission electron microscopy and photoluminescence characterization of InAs quantum wires on vicinal GaAs(110) substrates by molecular beam epitaxy"Jpn. J. Appl. Phys. 38. 4673-4675 (1999)
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[Publications] K.Kobayashi: "Photoluminescence inner core excitation in semiconductor quantum structures"Physica E. (in press).
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[Publications] T.Okui: "Shearing orientation dependence of cleavage step structures on GaAs(110)"Surf. Sci. Lett.. (in press).
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[Publications] K.Maehashi: "Photoluminescence core-level excitation of CdSe quantum dot structures"J. Crystal Growth. (in press).
