2000 Fiscal Year Annual Research Report
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11695042
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| Research Institution | The University of Electro-Communications |
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Principal Investigator |
森崎 弘 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 (00029167)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
野崎 真次 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 (20237837)
小野 洋 電気通信大学, 電気通信学部, 助手 (00134867)
内田 和男 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 (80293116)
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| Keywords | グリフィス大学 / Siナノ構造 / 半導体位置センター / 高圧相 / クラスタービーム蒸発法 |
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| Research Abstract |
(1)グリフィス大学グループの招聘
昨年度に行った予備的研究交流をもとに、本年度、グリフィス大学大学院学生のJoshua Combes氏を平成13年1月10日から2月16日まで招聘し、光デバイスとして新しい応用を検討している、半導体位置センサー(PSD)の設計に従事してもらった。いくつかのタイプのPSDの検出誤差のシミュレーション実験を行い、測定誤差を算出した。また、検出時に問題となるバックグラウンドの除去に関する検討も行った。これらの結果はJoshua Combes氏が帰国後もグリフィス大学で研究を継続することになった。
(2)電通大グループの派遣
3月末に研究分担者である野崎がグリフィス大学のHarrison教授の研究室に滞在して、その後の研究打ち合わせをする予定である。
(3)半導体高圧相の物性とデバイス応用
クラスタービーム蒸発法で製作したSiナノ構造薄膜がWurtzite構造と呼ばれるSiの高圧相をとることを見い出し、その成果を高圧半導体物理国際会議で論文発表を行った。
また、単結晶Geに高圧を加えてGeの高圧相を実現するための条件を実験的に見い出し、その成果も同じ国際会議で論文発表を行った。
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Research Products
(2 results)
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[Publications] J.Y.Zhang, H.Ono, K.Uchida S.Nozaki.and H.Morisaki: "Wurtzite silicon Nanocrystals Deposited by the Cluster-Beam Evaporation technique"Phys.Stat.Sol.(b). 223. 41-45 (2001)
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[Publications] M.Oh-ishi, S.Akiyama, K.Uchida, S.Nozaki, and H.Morisaki: "Study on pressure Working Time and Releasing Rate for Phase Transformation of Ge"Phys.Stat.Sol.(b). 223. 391-395 (2001)
