1999 Fiscal Year Annual Research Report
高角度分解能・高エネルギー分解能角度分解光電子分光を用いた低次元磁性体の研究
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11740192
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
小野 寛太 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (70282572)
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| Keywords | 角度分解光電子分光 / 低次元磁性体 / ナノ構造 / 放射光 |
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| Research Abstract |
平成11年度は昨年度に立ち上げた高分解能放射光ビームラインの後に高角度分解能・高エネルギー分解能角度分解光電子分光装置の立ち上げを行った。装置は、設計どおりの性能を満たし、低温(20k)、高エネルギー分解能(33meV)高角度分解能(±0.4°)での測定が可能になった。本年度は本装置を用いて、電荷密度波を示す物質(1T-TaSe_2,TaS_2,金属-絶縁体転移を示す表面物質(Bi/Si(lll)),表面2次元金属(√<7>×√<3>In/Si(lll))について詳細な研究を行った。
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[Publications] K.Ono et al.: "Molecular Beam Epitaxy of MnSb/MnAs multilayess or GaAs"J. Cryst. Growth. 209. 556-560 (2000)
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[Publications] T.Uragami,K.Ono et al.: "The effect of S-and Se-passivation on ・・・"J. Cryst. Growth. 209. 561-565 (2000)
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[Publications] K.Ono et al.: "Electron localization in MnSb dot on GaAs"Physica B. (予定). (2000)
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[Publications] K.Horiba,K.Ono et al.: "Angle-resolved photoemission Study in the commersulate CDW IT-TaS*"Physica B. (予定). (2000)
