1999 Fiscal Year Annual Research Report
高強度レーザによる量子干渉効果を利用した非反転分布希ガス真空紫外レーザー
Project/Area Number |
11750045
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Research Institution | University of Miyazaki |
Principal Investigator |
窪寺 昌一 宮崎大学, 工学部, 助教授 (00264359)
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Keywords | 真空紫外光 / 希ガスエキシマ / 無声放電 |
Research Abstract |
高出力レーザーにより誘起される量子干渉効果を利用する真空紫外レーザーの実現に向けて、初期条件として与えられる希ガスプラズマ内の情報が必要となる。これまで横方向放電型無声放電励起方式を用いてクリプトンを励起することにより、真空紫外域での中心波長147nm、ピーク出力1.5kWのクリプトンエキシマの生成に成功している。ここで得られたクリプトンエキシマ発光の諸特性から放電管内の励起種の種々のキネティクスの解析を行っている。本研究では横方向放電型の無声放電励起により得られた解析結果から、これとは放電形状が異なる同軸型のキャピラー放電管を用いた無声放電励起方式を提案し、これによる希ガス放電内の諸特性について新しい知見を得た。 同軸放電型無声放電励起方式を用いて中心波長147nm、ピーク発光強度52mWのクリプトンエキシマ発光を得た。この発光強度から得られる一重項状態のクリプトンエキシマ密度は4.3×10^<-3>となった。この値は予想に反して横方向型の無声放電励起方式と比べて1行程度少ない値となった。しかしながら、発光強度のスケーリングのために励起長を2倍にしたところ、発光強度は単純な励起長の増大を上回る2.4倍となった。横方向放電励起では励起長を2倍にしても発光強度の増加は観測できなかったことから、放電内のエキシマ生成、過失過程が両者の間では大きく異なるものを考えている。特に光吸収によるエキシマ分子の過失過程が重要となる。
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[Publications] 南畑 亮: "電子ビーム励起希ガスエキシマレーザー"宮崎大学工学部起要. 28. 175-180 (1999)
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[Publications] 吉原 真哉: "真空紫外光によるSiウェハーの低温プロセス"宮崎大学工学部起要. 28. 181-188 (1999)
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[Publications] 窪寺 昌一: "フェムト秒レーザーによる分子のコヒーレント制御"電子情報崇信学会技術研究報告書. 99. 49-52 (1999)
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[Publications] Shoichi Kubodera: "Ar excimer emission easited from argon clusters"Broceednys of 1999 OSA Amual Meeting. 98 (1999)
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[Publications] Shoichi Kubodera: "Ar excimer emission prodeuces from Ar dimers"Broceednys of JAERI Sympostum. (印刷中).