2000 Fiscal Year Annual Research Report
レーザーMBE法と基板方位制御による低次元量子スピン系人工格子の創製
Project/Area Number |
12046248
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Research Institution | Osaka University |
Principal Investigator |
田畑 仁 大阪大学, 農業科学研究所, 助教授 (00263319)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
田中 裕行 大阪大学, 産業科学研究所, 助手 (20314429)
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Keywords | 強誘電体 / 強磁性体 / 人工格子 / ペロブスカイト / レーザーMBE / メモリ素子 / 機能調和材料 / 構造相転移 |
Research Abstract |
原子層制御可能な人工格子技術と基板面方位(結晶面制御)を制御することにより、スピン・電荷の制御を実施した。特に、(110)方向に積層成長させた人工格子により、スピンのストライブ構造(1次元鎖)や梯子格子等の新らしい低次元量子スピンを実現することができた。 これまで酸化物において、スピンパイエルス転移は、CuGeO_3やNaV_2O_5等限られた物質にしか存在が報告されていなかった。本研究により、これらスピンパイエルス系およびハルデンギャップを有する物質等の低次元スピンに特徴的な物性を示す、新規な酸化物を創製が可能であることを実証することができた。 具体的な結果を以下に示す。我々が開発、改良したレーザーMBE法により、原子・分子スケールでペロブスカイト結晶構造を有する強磁性体および非磁性体(誘電体)の交互積層構造をもつ酸化物人工格子を合成した。特にスピン配列制御の成果として、SrRuO_3/SrTiO_3(110)およびSrRuO_3/BaTiO_3(110)人工格子において、1次元に固有の磁気特性(ハイゼンベルグ反強磁性)と輸送特性(モット転移として知られる金属-絶縁体転移)を示すことを世界で初めて示した(Solid State Communicationに掲載)。 さらに、単一結晶内に酸素八面体と四面体が交互配列した(いわば自然超格子)結晶構造をもつスピネル型フエライト薄膜を合成し、そのスピン配列(ランダムネスとフラストレーション)を制御することにより、室温を超える高温状態でのスピングラスを実現させた。加えて、このスピングラス状態を光により励起し、「光銹起磁性」が可能であることを示した。
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[Publications] X.L.Guo: "Fabrication and Optoelectronic Properties of a Transparent ZnO Homostructural Light-Emitting Diode"Jpn.J.Appl.Phys.. 40. L177-L180 (2001)
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[Publications] K.Ueda: "Atomic ordering in the LaFe_<0.5>Mn_<0.5>O_3 solution film"Appl.Phys.Lett.. 78(4). 512-514 (2001)
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[Publications] X.L.Guo: "Pulsed laser reactive deposition of p-type ZnO film enhanced by an electron cyclotron resonance source"J.Cryst.Growth. 223. 135-139 (2001)
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[Publications] K.Ueda: "Control of magnetic properties in LaCrO_3-LaFeO_3 artificial superlattices"J.Appl.Phys.. 89(5). 2847-2851 (2001)
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[Publications] 田畑仁: "遷移金属酸化物人工格子によるスピン制御"応用物理. 70(3). 285-290 (2001)
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[Publications] Y.Muraoka: "Photocontrol of spin-glass in Mg_<1.5>FeTi_<0.5>O_4 spinel ferrite films"Appl.Phys.Lett.. 76(9). 1179-1181 (2000)
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[Publications] S.Tabuchi: "Morphological Change and Inhibitory Effect on Ag Surface by ArF Excimer Laser Irradiation"Jpn.J.Appl.Phys.. 39(3A). 1268-1271 (2000)
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[Publications] M.Joseph: "Ferroelectric behavior of epitaxial Bi_2VO_<5.5> thin films on Si(100) formed by pulsed laser deposition"J.Appl.Phys.. 88(2). 1193-1195 (2000)
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[Publications] Y.Muraoka: "Preparation and thickness dependence of magnetic properties of (111)-oriented Mg_<1.5>FeTi_<0.5>O_4 spinel films on sapphire by pulsed laser deposition technique"Vacuum. 59. 622-627 (2000)
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[Publications] O.Nakagawara: "Epitaxial growth and dielectric properties of (111) oriented BaTiO_3/SrTiO_3 superlattices by pulsed-laser deposition"Appl.Phys.Lett.. 77(20). 3257-3259 (2000)
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[Publications] E.Rokuta: "Low leakage current characteristics of YMnO_3 on Si (111) using an ultrathin buffer layer of silicon oxynitride"J.Appl.Phys.. 88(11). 6598-6604 (2000)
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[Publications] L.T.Cai: "Self-assembled DNA networks and their electrical conductivity"Appl.Phys.Lett.. 77(19). 3105-3106 (2000)
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[Publications] K.Ueda: "Control of the magnetic and electric properties of low-dimensional SrRuO_3-BaTiO_3 superlattices"Solid State Comm.. 116. 221-224 (2000)
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[Publications] Y.Muraoka: "Room-temperature spin glass and its photocontrol in spinel ferrite films"Appl.Phys.Lett.. 77(24). 4016-4018 (2000)
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[Publications] Y.Muraoka: "Photoexcited spin-glass state in (Mg, Fe){Mg, Fe, Ti}O_4 spinel ferrite films"J.Appl.Phys.. 88(12). 7223-7229 (2000)
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[Publications] H.Y.Lee: "Epitaxial Growth and Dielectric Properties of Bi_2VO_<5.5> Thin Films on TiN/Si Substrates with SrTiO_3 Buffer Layers"J.Kor.Phys.Soc.. 37(4). 478-480 (2000)
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[Publications] 田中秀和: "機能調和人工格子による超五感センサと脳型メモリ"まてりあ. 39(3). 243-249 (2000)
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[Publications] 田畑仁: "機能性材料としての強誘電体-基礎物性と物質設計-"表面技術. 51(7). 664-668 (2000)
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[Publications] 田畑仁: "初めて誕生したp型ZnO"固体物理. 35(8). 570-577 (2000)
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[Publications] 田畑仁: "レーザMBE法による機能性酸化物人工格子の形成とスピン制御"日本結晶成長学会誌. 27(3). 117-123 (2000)