2003 Fiscal Year Annual Research Report

近接場光を用いたナノ構造機能制御に関する研究

Research Project

Project/Area Number	12131209
Research Institution	Wakayama University
Principal Investigator	伊藤昌文和歌山大学, システム工学部, 助教授 (10232472)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	堀勝名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (80242824) 椎名達雄千葉大学, 工学部, 助手 (80304187)
Keywords	マイクロマシニング / 電子ビーム励起プラズマ / 高速エッチング / 近接場光 / 近接場露光 / 超解像近接場構造 / Super-RENS / ジアリールエテン
Research Abstract	1.パルス変調電子ビーム励起プラズマを用いた新規マイクロマシニングプロセス本研究では光ファイバや非平面の絶縁体材料等の微細加工を可能とする新規マイクロマシニングプロセスを開発した。反応性イオンエッチングに必要とされる自己バイアスのための外部電源なしに、SiO_2など絶縁体の非平面材料に対するエッチングを行うプロセスとして、パルス変調型電子ビーム励起プラズマを用いたエッチングプロセスを提案した。このパルス変調型EBEPを用いることで、従来のDC制御EBEPを用いたエッチングプロセスにおける問題点であった均一性や基板に対する熱ダメージなどが解消でき、SiO_2エッチングにおいて463nm/minという非常に高速で異方性を有したエッチングが実現できた。このSiO_2エッチングレートは従来法である高速原子ビームエッチングプロセスやイオンビームエッチングプロセスと比較すると、数十倍以上である。これらの結果から、我々が提案したパルス変調型EBEPを用いたプロセスは微小な光学素子の組み込んだマイクロマシンなどの製造において、非常に実用的な新たな絶縁体エッチングプロセスとして期待できる。 2.ジアリールエテンを用いた超解像近接場構造による近接場描画本研究では半導体製造技術における次世代露光技術として、超解像近接場構造による近接場描画技術の開発を行った。従来法ではサーモクロミック層となる部分にジアリールエテンを用いた新規近接場光描画用Super-RENSの開発を試みた。波長442nmのHe-Cdレーザの回折限界は604nmであるが、このSuper-RENSを用いることにより線幅450nmの描画に成功した。またジアリールエテンをスピンコートにより保護膜層上に直接形成可能であることから、従来法で問題となっていたレジストとの密着性や熱ダメージの問題を解決できたと考えられる。

Research Products
(11 results)

All Other

All Publications (11 results)

[Publications] S.Tada, S.Takashima, M.Ito, M.Hamagaki, M.Hori, T.Goto: "Investigation of Nitrogen Atoms in Low-Pressure Nitrogen Plasmas Using a Compact Electron-Beam-Excited Plasma Source"Japanese journal of applied physics. 41・7. 4691-4695 (2002)
[Publications] S.Tada, M.Ito, M.Hamagaki, M.Hori, T.Goto: "Cleaning of Glass Disk in Oxygen Plasma by Using Compact Electron-Beam-Excited Plasma Source"Japanese journal of applied physics. 41・11. 6553-6556 (2002)
[Publications] M.Ito, K.Takeda, T.Shiina, Y.Okamura, H.Nagai, M.Hori, T.Goto: "Silicon oxide etching process employing an electron beam excited plasma"Journal of vacuum science and technology. B22・2. 543-547 (2004)
[Publications] 伊藤昌文: "スーパーレンズ法の原理,応用,展望"精密工学会誌. 69・2. 170-173 (2003)
[Publications] M.Ito et al.: "Silicon oxide etching process using electron beam excited CF_4/Ar plasmas"Conference proceedings of Joint conference 16^<th> European conference on atomic & molecular physics on ionized gases/5^<th> International conference on reactive plasmas. 1. 195-196 (2002)
[Publications] M.Ito et al.: "Diagnostics of electron beam excited CF_4/Ar plasmas for silicon oxide etching"Proceedings of 16^<th> International Symposium on Plasma Chemistry. 364. 367 (2003)
[Publications] K.Takeda et al.: "Silicon Oxide Etcning Process Employing Pulse-modulated Electron Beam Exited Plasma"Proceedings of 25th International Symposium on Dry Process. 133-138 (2003)
[Publications] M.Ito et al.: "Silicon dioxide etching processes employing electron beam excited plasma"Abstract of American Vacuum Society 50^<th> International Symposium. PS-TuP1 (2003)
[Publications] M.Ito et al.: "Micromachining process employing pulse-time-modulated electron-beam-excited plasma"The 21^<st> Symposium on plasma processing proceedings. 296-297 (2004)
[Publications] M.Ito et al.: "Development and diagnostics of micro-machining process using fluorocarbon plasmas"5^<th> International workshop on fluorocarbon plasmas programme and abstracts. 29 (2004)
[Publications] K.Takeda et al.: "Diagnostics of pulse-modulated electron-beam-excited plasma for silicon-oxide etching"International COE forum on plasma science and technology proceedings. 1. 207-208 (2004)

2003 Fiscal Year Annual Research Report

近接場光を用いたナノ構造機能制御に関する研究

Principal Investigator

伊藤 昌文 和歌山大学, システム工学部, 助教授 (10232472)

Research Products

[Publications] S.Tada, S.Takashima, M.Ito, M.Hamagaki, M.Hori, T.Goto: "Investigation of Nitrogen Atoms in Low-Pressure Nitrogen Plasmas Using a Compact Electron-Beam-Excited Plasma Source"Japanese journal of applied physics. 41・7. 4691-4695 (2002)

[Publications] S.Tada, M.Ito, M.Hamagaki, M.Hori, T.Goto: "Cleaning of Glass Disk in Oxygen Plasma by Using Compact Electron-Beam-Excited Plasma Source"Japanese journal of applied physics. 41・11. 6553-6556 (2002)

[Publications] M.Ito, K.Takeda, T.Shiina, Y.Okamura, H.Nagai, M.Hori, T.Goto: "Silicon oxide etching process employing an electron beam excited plasma"Journal of vacuum science and technology. B22・2. 543-547 (2004)

[Publications] 伊藤昌文: "スーパーレンズ法の原理,応用,展望"精密工学会誌. 69・2. 170-173 (2003)

[Publications] M.Ito et al.: "Silicon oxide etching process using electron beam excited CF_4/Ar plasmas"Conference proceedings of Joint conference 16^<th> European conference on atomic & molecular physics on ionized gases/5^<th> International conference on reactive plasmas. 1. 195-196 (2002)

[Publications] M.Ito et al.: "Diagnostics of electron beam excited CF_4/Ar plasmas for silicon oxide etching"Proceedings of 16^<th> International Symposium on Plasma Chemistry. 364. 367 (2003)

[Publications] K.Takeda et al.: "Silicon Oxide Etcning Process Employing Pulse-modulated Electron Beam Exited Plasma"Proceedings of 25th International Symposium on Dry Process. 133-138 (2003)

[Publications] M.Ito et al.: "Silicon dioxide etching processes employing electron beam excited plasma"Abstract of American Vacuum Society 50^<th> International Symposium. PS-TuP1 (2003)

[Publications] M.Ito et al.: "Micromachining process employing pulse-time-modulated electron-beam-excited plasma"The 21^<st> Symposium on plasma processing proceedings. 296-297 (2004)

[Publications] M.Ito et al.: "Development and diagnostics of micro-machining process using fluorocarbon plasmas"5^<th> International workshop on fluorocarbon plasmas programme and abstracts. 29 (2004)

[Publications] K.Takeda et al.: "Diagnostics of pulse-modulated electron-beam-excited plasma for silicon-oxide etching"International COE forum on plasma science and technology proceedings. 1. 207-208 (2004)

伊藤昌文和歌山大学, システム工学部, 助教授 (10232472)