2000 Fiscal Year Annual Research Report
過剩空孔の導入及びその緩和過程制御による擬似単結晶シリコン形成技術の研究
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12450015
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
宮尾 正信 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 教授 (60315132)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
権丈 淳 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 助手 (20037899)
佐道 泰造 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 助教授 (20274491)
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| Keywords | シリコン / イオン線 / 固相成長 |
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| Research Abstract |
「イオン線照射による空孔の過剰導入及びその緩和過程とSiボンド再配列の相関解明」に関する研究を行った。分子線エピタキシャル成長装置を用いてガラス基板上に不純物を含まず且つ稠密性の高い非晶質Si層を形成し、パルスイオン線照射装置を用いて広範囲のドーズレート(10^<10>-10^<15>ions/cm^2・s)でイオン線を照射した。パルスイオン線照射装置により、任意のデューテイ比の繰り返しでパルス照射の実験を行った。非晶質Si層に導入する空孔数を動的に制御すると同時に、照射時の試料温度を制御する事で空孔の緩和過程を制御する手法を探索した。
室温から300℃の照射温度において、Si中の照射誘起欠陥の緩和速度を測定し、照射誘起欠陥の緩和エネルギーは0.4eVであることを明らかにした。即ち、室温から300℃に昇温することにより、緩和速度を約1000倍、促進することが出来た。
現在、イオン照射された非晶質Si層のボンド再配列及び再配列に伴う結晶核発生の様子を、分光エリプソメトリー、赤外吸収法、ラマン分光法、及び微小粒径Si電気的評価装置を用いて評価している。この成果を基に、過剰空孔の導入過程及び緩和過程と、ボンド再配列との相関を解明して行く。
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Research Products
(5 results)
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[Publications] M.Miyao et al.: "Ion-beam Stimulated Solid-phase Crystallization of Amorphous Si on SiO_2"Book of Abst.of European Materials Conference (E-MRS). O-8-O-8 (2000)
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[Publications] M.Miyao et al.: "Ion Irradiated Stimulated Crystal Nucleation in Amorphous Si on SiO_2"Ext.Abst.2000 International Conf.on Solid State Devices and Materials (SSDM). 442-443 (2000)
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[Publications] Y.Murakami et al.: "Dose rate dependence of ion-induced-damage in Si evaluated by spectroscopic ellipsometry"Abst.of 6th Internationa Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors. 56-56 (2000)
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[Publications] I.Tsunoda et al.: "Influence of ion beam irradiation on solid-phase regrowth of amorphous Si on SiO_2"Abst.of 6th Internationa Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors. 57-57 (2000)
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[Publications] T.Sadoh et al.: "Solid Phase Crystallization of a-Si on SiO_2 Induced by Ion Irradiation at Low Temperature"Abst.of IUVSTA International Workshop on Selective and functional Film Deposition Technologies as Applied to ULSI Technology. 255-257 (2000)
