2001 Fiscal Year Annual Research Report
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12450021
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
吉信 淳 東京大学, 物性研究所, 助教授 (50202403)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山下 良之 東京大学, 物性研究所, 助手 (00302638)
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| Keywords | シリコン表面 / ダイマー / 光電子分光 / Pt / ステップ表面 |
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| Research Abstract |
1.シリコンSi(100)(2×1)表面の非対称ダイマーの電子状態を低温領域で高分解能内殻光電子分光で測定した。室温から55Kまで,その状態は本質的に非対称ダイマーであることが明確に示された。
2.非対称ダイマーの化学反応性を調べるために,CO, BF_3,ピリジン,CO_2, H_2Oなどの分子をプローブ分子として用いた。ルイス酸分子は非対称ダイマーのうち上部シリコン原子に,ルイス塩基分子は下部シリコン原子と相互作用しやすいことが,見出れた。分子でシリコン表面を化学修飾するさいの,指導原理の1つになると考えられる。
3.極低温IRAS測定で,Pt(997)ステップ表面とCOの相互作用について,詳細に調べた。テラスCOとステップCOの動的双極子モーメントの相対強度比が,正確に見積られた。
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[Publications] S.Machida, et al.: "Electronic and vibrational states of cyclo pentene on Si(100)(2×1)"J. Phys. Chem. B. 106. 1691-1696 (2002)
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[Publications] K. Hamaguchi, et al.: "Bonding and structure of 1.4 cyclohexadiene chemisorbed on Si(100)(2×1)"J. Phys. Chem. B. 105. 3718-3723 (2001)
