2002 Fiscal Year Annual Research Report
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12450021
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
吉信 淳 東京大学, 物性研究所, 助教授 (50202403)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山下 良之 東京大学, 物性研究所, 助手 (00302638)
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| Keywords | シリコン表面 / 光電子分光 / 走査型トンネル顕微鏡 / プラチナ表面 / 表面拡散 |
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| Research Abstract |
1.シリコン(100)表面の高分解能Si2p光電子分光を300Kから30Kの範囲で精密に測定し,30Kまで非対称ダイマーが安定であることを実証した.
2.シリコン(100)表面の非対称ダイマーの化学反応性を調べるために,トリメチルアミン(TMA),BF_3,CO, H_2O, NH_3などの分子を低温で吸着させ,走査型トンネル顕微鏡(STM)で観察した.TMAは非対称ダイマーのダウンダイマーに100%選択的に吸着することがわかった.水分子は2つの隣り合ったダイマーでHとOHに解離吸着することが解明された.また,これが長年謎であったc欠陥の原因であることがわかった.アンモニアやCOはc欠陥に優先的に吸着することがわかった.
3.シリコン(100)表面とビニルブロマイドの相互作用を高分解能電子エネルギー損失分光(HREELS)で調べた.物理吸着,化学吸着,解離過程をHREELSで段階的に追跡し,物理吸着から化学吸着への活性化エネルギーを見積もった.
4.シリコン(100)表面とトリフルオロプロパノール(TFIP)の相互作用を高分解能電子エネルギー損失分光(HREELS)で調べた.低温でTFIPはOH結合を切断して解離吸着することがわかった.
5.Pt(997)表面におけるCO, N_2,NOの低温領域での吸着状態を,赤外反射吸収分光(IRAS)を用いて詳細に調べた.COの過渡的拡散距離を約7Åと見積もることに成功した.
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[Publications] S.Nagaoka, K.Mase, A.Nakamura, M.Nagao, J.Yoshinobu, S.Tanaka: "Site-specific fragmentation caused by core-level photoionization : Effect of chemisorption"J. Chem. Phys.. 117. 3961-3971 (2002)
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[Publications] S.Machida, M.Nagao, S.Yamamoto, Y.Kakafuda, K.Mukai, Y.Yamashita: "Electronic states and chemical reactivity of Si(100)c(4x2) surface at low temperature studied by high resolution Si 2p core level photoelectron spectroscopy"Surf. Sci. (in press). (2003)
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[Publications] M.Nagao, S.Nagaoka, S.Tanaka, K.Mukai, Y.Yamashita, J.Yoshinobu: "Adsorbed states of 1,1,1-trifluoro-2-propanol on Si(100)"Surf. Sci.. (in press). (2003)
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[Publications] Zakir Hossain, Yoshiyuki Yamashita, Kozo Mukai, Jun Yoshinobu: "Model for C-defect on Si(100)"Phys. Rev. B. (in press). (2003)
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[Publications] 吉信淳(分担執筆): "有機無機ハイブリッドナノ材料,「ナノテクノロジー最前線」(塚田捷, 河津璋共編)"東京教育情報センター. 135-143 (2003)
