2000 Fiscal Year Annual Research Report
内部摩擦の微小塑性理論の発展と金属薄膜の力学特性評価への応用
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12450258
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
西野 洋一 名古屋工業大学, 工学部, 助教授 (50198488)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
浅野 滋 名古屋工業大学, 工学部, 教授 (10024267)
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| Keywords | 内部摩擦 / 微小塑性 / 薄膜 / LSI配線 / 銅 / 転位 / 機械的性質 / 塑性変形 |
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| Research Abstract |
薄膜材料の内部摩擦の振幅依存性を解析して,薄膜を基板に積層したままの状態で,微小塑性に基づく力学応答を非破壊で定量的に評価することを目的とする.そのためには,(a)薄膜材料の測定データから薄膜のみの内部摩擦を評価し,(b)薄膜における内部摩擦の振幅依存性から転位による塑性歪と応力の関係を正確に定量する必要がある.本研究では,これらの理論を整備することにより内部摩擦の解析手法を確立し,シリコン基板上に積層した銅薄膜の力学物性の評価に応用した.
銅薄膜を積層した材料について,温度を連続的に変化させて内部摩擦の振幅依存性を系統的に測定した.内部摩擦の構成式を適用することにより,薄膜材料の測定データから薄膜のみに起因する内部摩擦を計算できる.その結果,銅薄膜の内部摩擦はバルクの銅の実測値と同じオーダーであることを確認した.しかし,銅薄膜における内部摩擦の振幅依存性は,バルクと比べて2桁も高い歪領域で観測されており,さらに膜厚が小さいほと振幅に依存する成分は高歪側に移行した.この振幅依存性データを微小塑性理論に基づいて解析することにより,10^<-9>のオーダーの塑性歪を応力の関数として算出できる.これより,膜厚が小さくなると急激に塑性変形しにくくなっており,変形応力の膜厚による変化は低温ほど顕著であることがわかった.とくに熱処理した銅薄膜では結晶粒径が膜厚と同程度以上となり,この場合,微小塑性の変形応力は膜厚に反比例して変化することを見出した.このような膜厚効果は,薄膜表面と薄膜/基板界面で両端を固定された転位が張り出して往復運動することに起因している.以上のように,薄膜材料の内部摩擦を解析する方法は,引張り試験で得られるような応力-歪特性を非破壊で評価するうえで有効である.
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Research Products
(6 results)
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[Publications] M.Kato: "Electronic,Magnetic and Transport Properties of (Fe_<1-x>V_x)_3Al Alloys."Journal of Physics : Condensed Matter. 12・8. 1769-1779 (2000)
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[Publications] H.Okamura: "Pseudogap Formation in the Intermetallics (Fe_<1-x>V_x)_3Al."Physical Review Letters. 84・16. 3674-3677 (2000)
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[Publications] M.Kato: "Temperature Dependence of Electrical Resistivity in (Fe_<1-x>Ti_x)_3Al Alloys."Journal of Physics : Condensed Matter. 12・43. 9153-9162 (2000)
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[Publications] G.A.Botton: "Microstructural Evolution and Stability of (Fe_<1-x>V_x)_3Al Alloys in Relation to the Electronic Structure."Intermetallics. 8・9-11. 1209-1214 (2000)
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[Publications] Y.Nishino: "Unusual Electron Transport in Heusler-type Fe_2 VAl Compound."Intermetallics. 8・9-11. 1233-1241 (2000)
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[Publications] K.Soda: "Magnetic Circular Dichroism at Transition Metal L_<2,3> Edges in DO_3-type (Fe_<1-x>Mn_x)_3Al Alloys."Journal of Synchrotron Radiation. 8・2. 455-456 (2001)
